Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Последние выложенные файлы

Учебник для студентов технических вузов. — Бишкек: Полиграфбумресурсы, 2010. — 252 с. — ISBN 987-9967-25-901-0. В учебнике рассмотрены физические основы современной электроники: теории электрических, магнитных, электромагнитных и оптических явлений; элементы зонной теории, различные физические эффекты и явления, жидкие кристаллы и оптические волокна, которые служат основой...
  • 1,93 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Учебное пособие. — Казань: КГЭУ, 2015. — 148 с. Рассмотрены физические основы, принципы действия и характеристики полупроводниковых приборов, усилителей, импульсных устройств и генераторов гармонических колебаний. Дана элементная база последовательностных и комбинационных схем и ее применение в различного рода устройствах. Пособие предназначено для студентов всех форм обучения...
  • 3,33 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Әдістемелік нұсқаулықтар. — Алматы: АЭжБУ, 2014. — 20 б. Әдістемелік жетекші құралда есептеу - сызба жұмыстарының (ЕСЖ) тапсырмалары, ЕСЖ мазмұнына және оны дайындауға әдістемелік сілтемелер мен талаптар, керекті әдебиеттер келтірілген.
  • 668,70 КБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Алматы: АУЭС, 2014. — 50 с. Излагается краткое содержание лекций по дисциплине «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальности 5В070400 — Вычислительная техника и программное обеспечение. Приведены цели изучения, определяющие уровень усвоения определенного учебного материала. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» представляет собой ещё один...
  • 1,46 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Учебное пособие. — Воронеж: Воронежский государственный технический университет, 2011. — 255 c. В учебном пособии рассмотрены структура, механические, тепловые, магнитные свойства твердых тел, основы зонной теории и физические свойства диэлектриков, необходимые при изучении курса физические основы микроэлектроники. Издание соответствует требованиям Государственного...
  • 6,17 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Hackensack: World Scientific Publishing Company, 2020. — 442 p. The study of the magnetic response of Josephson junction networks can be useful in outlining the behaviour of existing superconducting electronic devices, in conceiving new types of magnetic sensors, and in describing the low-field magnetic properties of granular superconductors. In the present work a wide...
  • 16,74 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Учебное пособие. — Томск: ТУСУР, 2020. — 172 с. Рассматриваются основные физические процессы взаимодействия ускоренных частиц и плазмы с веществом, принципы работы пучкового и плазменного технологического оборудования, применение электронно-ионно-плазменных технологий в промышленности. Для аспирантов направления подготовки 11.06.01, а также студентов и аспирантов высших учебных...
  • 11,71 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Springer, 2024. — 418 p. This book is not simply about electronics but rather a thorough exploration of physics. Instead of isolating electronics as an art, its primary goal is to explain the physical principles behind electronic circuits and how they are applied practically. Electronics provides a framework for understanding physics, and vice versa. It is intended for advanced...
  • 13,49 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Bucuresti: Tehnica, 1979. — 869 s. — (Biblioteca de automatică, informatică). Trăim in epoca celei de a doua revoluții industriale, revoluție in care electronica este chemată să aibă un rol deosebit de important atît în sfera producției nemijlocite de bunuri materiale, cit şi în alte domenii de activitate. Asa după cum se poate constata cu ușurință, practic astăzi nu există...
  • 14,59 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2021. — 123 с. — ISBN 978-5-9275-3987-1. Излагаются физические основы описания электромагнитных явлений, происходящих в материалах в сверхпроводящем состоянии. Описаны радиофизические измерительные устройства, построенные на эффектах, связанных со сверхпроводимостью. В учебном пособии также...
  • 6,74 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2021. — 91 с. — ISBN 978-5-9275-3919-2. В учебном пособии излагаются основы метода молекулярной динамики, являющегося одним из эффективных методов при моделировании физических процессов. Основной целью данного учебного пособия является изучение теоретических основ и приобретение практических навыков...
  • 3,57 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2021. — 154 с. Введение. Электронная структура кристаллов. Электроны и дырки в полупроводниках. Движение носителей заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Поверхностные явления в полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках. Фотоэлектрические явления и светоизлучение. Библиографический список.
  • 2,10 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

British Journal Of Applied Physics. — 1961. — Vol. 12. — P. 654- 659. A brief account is given of the physical principles governing the operation of tunnel diodes. The material parameters affecting the peak and valley currents and the capacitance are discussed. The signifcance of some low temperature phenomena is explained.
  • 479,49 КБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Journal of Physics D: Applied Physics. — 2006. — V. 39. — P. 61–65. Abstract. The effect of a tunnel charge transport in the near-surface region of silicon on the electrical characteristics of MOS structures with a 2–3 nm insulator layer is studied theoretically. An equilibrium condition for the substrate is assumed. The cases of an Al and polySi gate are considered. The...
  • 4,57 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Journal of Physics D: Applied Physics. — 2007. — V. 40. — p. 337–354. A magnetic tunnel junction (MTJ), which consists of a thin insulating layer (a tunnel barrier) sandwiched between two ferromagnetic electrode layers, exhibits tunnel magnetoresistance (TMR) due to spin-dependent electron tunnelling. Since the 1995 discovery of room-temperature TMR, MTJs with an amorphous...
  • 2,51 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Melville: AIP Publishing LLC, 2020. — 267 p. Essential Electron Transport for Device Physics introduces key elements of electron transport most applicable to the study of semiconductor electron devices. It is a convenient reference and summary of fundamental knowledge to be understood before exploring more sophisticated electron device models and concepts. Easy to read and...
  • 12,34 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано

Диссертация... доктора технических наук : 01.04.20. — Санкт-Петербург, 2002. — 338 с. Цель работы: разработка и реализация методов формирования на основе ВЭЭ, а также вакуумного дугового разряда и разряда по поверхности диэлектрика интенсивных электронных и ионных пучков микросекундной длительности, обладающих стабильными и управляемыми параметрами. Поиск и реализация...
  • 18,69 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано