New York: Springer, 2020. — 635 p. This book provides a comprehensive reference for everything that has to do with digital circuits. The author focuses equally on all levels of abstraction. He tells a bottom-up story from the physics level to the finished product level. The aim is to provide a full account of the experience of designing, fabricating, understanding, and testing a...
Proceedings of the 2nd International Conference on Adaptive Science & Technology (ICAST 2009). — Accra, Ghana, 14-16 Jan. 2009. — pp. 146-153. The development of new high temperature electronics (HTE)/systems is the key to achieving high reliability safety critical operations in aerospace, automotive and well-logging applications. Reliability issues associated with the...
Boca Raton: CRC Press, 2023. — 317 p. This book will give insight into emerging semiconductor devices from their applications in electronic circuits, which form the backbone of electronic equipment. It provides desired exposure to the ever-growing field of low-power electronic devices and their applications in nanoscale devices, memory design, and biosensing applications....
Boca Raton: CRC Press, 2015. — 432 p. Soft errors are a multifaceted issue at the crossroads of applied physics and engineering sciences. Soft errors are by nature multiscale and multiphysics problems that combine not only nuclear and semiconductor physics, material sciences, circuit design, and chip architecture and operation, but also cosmic-ray physics, natural radioactivity...
Springer, 2022. — 139 p. This book covers the new field of straintronics, using strain switched nanomagnets for extremely energy-efficient computing, information processing, communication, and signal generation. Based on well-established CMOS technology, traditional electronics have two significant shortcomings: excessive energy dissipation and volatility, which is the...
Edward Arnold, 1973. — 360 p. This book has been written to provide an introduction to those parts of physical electronics which are currently of most interest to electronic engineers and physicists. The level we have aimed at is that of the second- and third-year University courses in electronic engineering, and the examinations of the Institute of Physics, the Institute of...
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2017. — 545 p. — ISBN13: 978-1-138-03271-2. The primary focus of this book is on basic device concepts, memory cell design, and process technology integration. The first part provides in-depth coverage of conventional nonvolatile memory devices, stack structures from device physics, historical perspectives, and identifies limitations of...
Boca Raton: CRC Pres, 2017. — 545 p. The primary focus of this book is on basic device concepts, memory cell design, and process technology integration. The first part provides in-depth coverage of conventional nonvolatile memory devices, stack structures from device physics, historical perspectives, and identifies limitations of conventional devices. The second part reviews...
New York: Springer, 2017. — 106 p. This book focuses on two specific areas related to fractional order systems – the realization of physical devices characterized by non-integer order impedance, usually called fractional-order elements (FOEs); and the characterization of vegetable tissues via electrical impedance spectroscopy (EIS) – and provides readers with new tools for...
2nd edition. — Springer, 2023. — 1408 p. This handbook gives a complete and detailed survey of the field of semiconductor physics. It addresses every fundamental principle, the most important research topics and results, as well as conventional and emerging new areas of application. Additionally it provides all essential reference material on crystalline bulk, low-dimensional,...
New York: Springer, 2013. — 278 p. In Physical Unclonable Functions in Theory and Practice, the authors present an in-depth overview of various topics concerning PUFs, providing theoretical background and application details. This book concentrates on the practical issues of PUF hardware design, focusing on dedicated microelectronic PUF circuits. Additionally, the authors...
Wiley-VCH, 2010. — 576 p. — ISBN: 978-3-527-40915-0.
This textbook is intended for students as well as professional scientists and engineers interested in the next generation of electronics and, in particular, in the opportunities and challenges introduced by surfaces and interfaces. As electronics technology improves with higher speed, higher sensitivity, higher power, and...
John Wiley & Sons, 2016. — 310 p. — ISBN10: 111902711X. An Essential Guide to Electronic Material Surfaces and Interfaces is a streamlined yet comprehensive introduction that covers the basic physical properties of electronic materials, the experimental techniques used to measure them, and the theoretical methods used to understand, predict, and design them. Starting with the...
Springer, 1992. — 661 p. — (Microdevices: Physics and Fabrication Technologies Series). — ISBN: 978-1-4419-3221-1. In this revised and expanded edition, the authors provide a comprehensive overview of the tools, technologies, and physical models needed to understand, build, and analyze microdevices. Students, specialists within the field, and researchers in related fields will...
Springer, 2007. — 277 p. — (Series on Integrated Circuits and Systems). — ISBN: 978-1-4020-5188-3. Addressing a new topic (DFM/DFY) critical at 90 nm and beyond. No book available today with comprehensive coverage of this topic. Book covers all CAD/CAE aspects of a SOC design flow. As we approach the 32 nm CMOS technology node the design and manufacturing communities are...
CRC Press, Taylor & Francis Group, 2019. — 377 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN13: 978-0-8153-7441-1. This book explores up-to-date research trends and achievements on low-power and high-speed technologies in both electronics and optics. It offers unique insight into low-power and high-speed approaches ranging from devices, ICs, sub-systems and networks that can be...
Boca Raton: Pan Stanford, 2012. — 444 p.
This book covers one of the most important device architectures that have been widely researched to extend the transistor scaling: FinFET. Starting with theory, the book discusses the advantages and the integration challenges of this device architecture. It addresses in detail the topics such as high-density fin patterning, gate stack...
Springer, 2005. — 159 p. — 978-0-387-28592-4. Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors examines this interesting phenomenon. Microscopic fluctuations cause stochastic parameter fluctuations that affect the accuracy of the MOSFET. For analog circuits this determines the trade-off between speed, power, accuracy and yield. Furthermore, due to the down-scaling of...
Springer, 2022. — 316 p. High-Efficiency Hexagonal-Shaped Quad Element MIMO Antenna for Terahertz Applications Antenna Design Layout Quad Element Antenna Design Parametric Analysis Results and Discussion MIMO Diversity Performance Losses and Terahertz Channel Capacity Channel Capacity An Ultra-Thin Octad-Band THz Metamaterial Absorber with Polarization-Insensitivity for Sensor...
Hackensack: World Scientific Publishing Company, 2020. — 442 p. The study of the magnetic response of Josephson junction networks can be useful in outlining the behaviour of existing superconducting electronic devices, in conceiving new types of magnetic sensors, and in describing the low-field magnetic properties of granular superconductors. In the present work a wide...
New York: Wiley-IEEE Press, 2021. — 456 p. The book describes a wide range of materials on various photodetectors from their basic physics to their technological applications. Also, it develops circuits for photodetectors and illustrates and evaluates them in a number of applications. A feature of the book is the recurring reference to the ultimate performances achievable...
Cham: Springer, 2020. — 227 p. This book explores emerging topics in atomic- and nano-scale electronics after the era of Moore’s Law, covering both the physical principles behind, and technological implementations for many devices that are now expected to become key elements of the future of nanoelectronics beyond traditional complementary metal-oxide semiconductors (CMOS)....
Springer, 2022. — 165 p. This book examines the critical differences between current and next-generation Si technologies (CMOS, BiCMOS and SiC) and technology platforms (e.g. system-on-chip) in mm-wave wireless applications. We provide a basic overview of the two technologies from a technical standpoint, followed by a review of the state-of-the-art of several key building...
New York: Springer, 2017. — 578 p. This book is dedicated to field emission electronics, a promising field at the interface between “classic” vacuum electronics and nanotechnology. In addition to theoretical models, it includes detailed descriptions of experimental and research techniques and production technologies for different types of field emitters based on various...
Fourth Printing. — Kluwer Academic Publishers, 2001. — 583 p. — ISBN: 978-1-4613-2275-7. There was a long felt need for this book in industrial and academic institutions. It provides new engineers, as well as practicing engineers and advanced laboratory personnel in the field of semiconductors a clear and thorough discussion of state-of-the-art silicon devices, without...
World Scientific Publishing Co. Re. Ltd., 1996. – 768p. – ISBN: 9810223870. Providing an introduction to the principles of semiconductor physics, this text links its scientific aspects with practical applications. It is addressed to both readers who wish to learn semiconductor physics and those seeking to understand semiconductor devices. Intended as a teaching vehicle, the...
Springer, 2022. — 325 p. This classroom-tested textbook provides a self-contained one-semester course in semiconductor physics and devices that is ideal preparation for students to enter burgeoning quantum industries. Unlike other textbooks on semiconductor device physics, it provides a brief but comprehensive introduction to quantum physics and statistical physics, with...
InTech, 2011, —546p Silicon carbide (SiC) is an interesting material that has found application in a variety of industries. The two best known applications of this material are its use as an abrasive material and its more recent use as a wide band gap semiconductor for high power, high temperature electronic devices. The high hardness of this material, known for many years, led...
World Scientific Publishing, 2023. — 350 p. Preface Equilibrium Physics and Chemistry Fundamentals of Information Processing Quantum Physics: A Whole New World Interpreting Quantum Probabilities Bumps Along the Quantum Path: Steps, Wells and Barriers Numerical Methods and Approximations Angular Momentum and the Hydrogen Atom Atomic and Molecular Structure Solids: From Bonds to...
New York: Springer, 2017. — 257 p. This book describes a new type of passive electronic components, called fractal elements, from a theoretical and practical point of view. The authors discuss in detail the physical implementation and design of fractal devices for application in fractional-order signal processing and systems. The concepts of fractals and fractal signals are...
Second Edition. — Wiley-IEEE Press, 2007. — 428 p. — ISBN: 978-0-471-78046-5. This Second Edition focuses on emerging topics and advances in the field of VLSI interconnections. In the decade since High-Speed VLSI Interconnections was first published, several major developments have taken place in the field. Now, updated to reflect these advancements, this Second Edition...
Springer, 2015. — 516 p. — ISBN: 978-3-319-08994-2. Describes the intricacies of hot carrier degradation in modern semiconductor technologies. Covers the entire hot carrier degradation phenomenon, including topics such as characterization, carrier transport, carrier-defect interaction, technological impact, circuit impact, etc. Enables detailed understanding of carrier...
Reverté, 1970. — 264 p. — ISBN10: 8429134425. Dispositivos semiconductores de unión Introducción Diodos de unión Transistores de unión Funcionamiento físico de los diodos de unión pn El diodo de unión pn abrupta Unión pn en equilibrio Barrera de potencial en el equilibrio Capa de carga espacial y regiones neutras Efecto de una tensión de polarización en la unión pn Variaciones...
Reverté, 1970. — 264 p. — ISBN10: 8429134425. Dispositivos semiconductores de unión Introducción Diodos de unión Transistores de unión Funcionamiento físico de los diodos de unión pn El diodo de unión pn abrupta Unión pn en equilibrio Barrera de potencial en el equilibrio Capa de carga espacial y regiones neutras Efecto de una tensión de polarización en la unión pn Variaciones...
2nd ed. — Springer, 2010. — 900 p. ISBN: 3642138837 The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor physics,...
Springer-Verlag, Berlin, 2006, 689 pages, ISBN: 354025370X Brings the reader to an overview of the subject as a whole and to the point where they can specialize and enter supervised laboratory research. Provides a balance between aspects of solid state and semiconductor physics and the concepts of various semiconductor devices and their applications in electric and photonic...
Presentation. — Institute of Mechatronics, Nanotechnology and Vacuum Technique, Koszalin University of Technology, PL, 2008. — 49 p. Outline Interaction of charged particles with electric and magnetic field. Magnetron effect. Magnetron sputtering sources (coaxial, planar and other constructions). Unbalanced magnetrons (closed field systems). Magnetron sputtering sources for...
Academic Press, 2001. — 964 p. — ISBN 978-0123106759. Low Temperature Electronics: Physics, Devices, Circuits, and Applications summarizes the recent advances in cryoelectronics starting from the fundamentals in physics and semiconductor devices to electronic systems, hybrid superconductor-semiconductor technologies, photonic devices, cryocoolers and thermal management....
Springer, 2023. — 141 p. — (Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology). — ISBN 978-3-031-24792-7. This book explains the basic elements that readers need to know about amorphous silicon material and a-Si:H TFTs. It includes the main principles of the transistors operation, modeling and applications. Fundamentals about transport mechanisms in a-Si:H TFTs and the...
New York: McGraw-Hill Book Company, 1948. — 860 p. — (Electrical and electronic engineering series). В данном издании рассмотрен физический принцип работы ваккумных приборов, приведены подробные выкладки для расчета вакуумного прибора. Книга подходит как студентам, так и специалистам широкого профиля.
Oxford: Oxford University Press, 2013. — 288 p. This book, which provides an introduction to the field of nanoelectronics, explains the physical phenomena that take place in nanoelectronic structures and explains how these phenomena are accessed in measurements. The emphasis is on phenomena taking place at low temperatures, where thermal noise cannot completely suppress the...
IEEE Press / Wiley, 2000. — 338 p. — ISBN: 0-7803-3479-5. Semiconductor devices are ubiquitous in today's world and found increasingly in cars, kitchens, and electronic door looks, attesting to their presence in our daily lives. This comprehensive book brings you the fundamentals of semiconductor device theory from basic quantum physics to computer aided design. Advanced Theory...
Willey, 2004. — 503 p. — ISBN: 0-470-85407-3. The development of large-scale integrated systems on a chip has had a dramatic effect on circuit design methodology. Recent years have seen an escalation of interest in systems level integration (system-on-a-chip) and the development of low power, high chip density circuits and systems. Kurt Hoffmann sets out to address a wide range...
New York: Pearson, 2009. — 354 p. Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits, First Edition introduces readers to the world of modern semiconductor devices with an emphasis on integrated circuit applications. KEY TOPICS: Electrons and Holes in Semiconductors; Motion and Recombination of Electrons and Holes; Device Fabrication Technology; PN and Metal–Semiconductor...
New York : Nova Science Publishers, Inc., 2009. — 103 p. During the last few years, copper has become the standard metallization material for on-chip interconnects in high-performance microprocessors. Compared to the previously used aluminum, copper shows not only a lower resistivity, but also significantly improved electromigration resistance. Copper ions, however, are very...
Презентация, 108 с. Выходные данные не указаны Plasma Process Techonolgy DC Plasma RF Plasma Physical Vapor Deposition (PVD) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Dry Etching Review Questions RF-Plasma Matching Basic concepts of R,L and C Circuits Characteristic impedance of coaxial cable VSWR (voltage standing-wave ratio) Reflection coefficient of RF transmission...
Oxford University Press, 2022. — 897 p. — ISBN 978–0–19–885685–6. Semiconductor physics is a laboratory to learn and discover the concepts of quantum mechanics and thermodynamics, condensed matter physics, and materials science, and the payoffs are almost immediate in the form of useful semiconductor devices. Debdeep Jena has had the opportunity to work on both sides of the...
British Journal Of Applied Physics. — 1961. — Vol. 12. — P. 654- 659. A brief account is given of the physical principles governing the operation of tunnel diodes. The material parameters affecting the peak and valley currents and the capacitance are discussed. The signifcance of some low temperature phenomena is explained.
4th Edition. — McGraw-Hill Education, 2018. — 992 p. — ISBN: 978-0-07-802818-2. Principles of Electronic Materials and Devices is one of the few books in the market that has a broad coverage of electronic materials that today's scientists and engineers need. The general treatment of the textbook and various proofs leverage at a semiquantitative level without going into detailed...
McGraw-Hill; 3rd edition, 2006, 834 pages, ISBN: 0072957913 The third edition includes new topics and extended sections, such as diffusion, conduction in thin films, interconnects in microelectronics, electromigration, Stefan's radiation law, field emission from carbon nanotubes, piezoresistivity, amorphous semiconductors, solar cells, LEDs, Debye relaxation, giant...
Institute of Physics Publishing, 2021. — 791 p. This second edition describes the various materials, devices, and technologies required to make electronics capable of operating in harsh conditions, such as exposure to extreme temperatures, humidity, or radiation. Implantable medical electronics, vibration-tolerant electronics, space electronics, electromagnetic interference...
New York: Springer, 2016. — VII, 235 p. — ISBN: 978-981-10-0724-8. Presents the multidisciplinary approach that is instrumental to fully understand the field of single-molecule electronics; Discusses state-of-the-art topics including single-molecule spectro-electrical methods, electrochemical DNA sequencing technology, and single-molecule chemical reactions; Appeals to a broad...
New York: Springer, 2016. — VII, 235 p. — ISBN: 978-981-10-0724-8. Presents the multidisciplinary approach that is instrumental to fully understand the field of single-molecule electronics; Discusses state-of-the-art topics including single-molecule spectro-electrical methods, electrochemical DNA sequencing technology, and single-molecule chemical reactions; Appeals to a broad...
Wiley-IEEE Press, 2014. — 400 p. A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001....
Princeton University Press, 2021. — 197 p. This book presents a state-of-the-art understanding of semiconductor-electrolyte interfaces. It provides a detailed study of semiconductor-electrolyte interfacial effects, focusing on the physical and electrochemical foundations that affect surface charge, capacitance, conductance, quantum effects, and other properties, both from the...
New York: Springer, 2022. — 252 p. High efficiency, large scale, stationary computing systems – supercomputers and data centers – are becoming increasingly important due to the movement of data storage and processing onto remote cloud servers. This book is dedicated to a technology particularly appropriate for this application – superconductive electronics, in particular, rapid...
New York: Springer, 2022. — 252 p. High efficiency, large scale, stationary computing systems – supercomputers and data centers – are becoming increasingly important due to the movement of data storage and processing onto remote cloud servers. This book is dedicated to a technology particularly appropriate for this application – superconductive electronics, in particular, rapid...
N-Y., McGraw-Hill, 1995, 677 p.
Semiconductor devices, the basic components of integrated circuits, are responsible for the rapid growth of the electronics industry over the past fifty years. Because there is a growing need for faster and more complex systems for the information age, existing semiconductor devices are constantly being studied for improvement, and new ones are...
Melville: AIP Publishing LLC, 2020. — 267 p. Essential Electron Transport for Device Physics introduces key elements of electron transport most applicable to the study of semiconductor electron devices. It is a convenient reference and summary of fundamental knowledge to be understood before exploring more sophisticated electron device models and concepts. Easy to read and...
John Wiley & Sons, Ltd, 2017. — 203 p. — ISBN10: 1119246296 Research into Tunneling Field Effect Transistors (TFETs) has developed significantly in recent times, indicating their significance in low power integrated circuits. This book describes the qualitative and quantitative fundamental concepts of TFET functioning, the essential components of the problem of modelling the...
Woodhead Publishing, 2021. — 647 p. — (Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials). — ISBN 978-0-08-102802-5. The need to more efficiently harvest energy for electronics has spurred investigation into materials that can harvest energy from locally abundant sources. Ferroelectric Materials for Energy Harvesting and Storage is the first book to bring together...
CRC Press, 1997. — 333 p. — ISBN: 0-8493-9623-9. The development of electronics that can operate at high temperatures has been identified as a critical technology for the next century. Increasingly, engineers will be called upon to design avionics, automotive, and geophysical electronic systems requiring components and packaging reliable to 200 °C and beyond. Until now,...
Nova Science Publishers, 2009. — 454 p. — ISBN: 978-1-61761-868-0. This book begins with metamaterials technology, a novel approach for the design of radiofrequency and microwave components and circuits. Since reliability is a key success factor to engineering products today, the different misconceptions in the common reliability practices of integrated circuits manufacturers...
Boca Raton: CRC Press, 2023. — 175 p. Supercapacitors have established their role as high-power density devices capable of storing energy for multiple cycles; these devices are more plentiful than batteries. This book outlines the fundamentals of charge-storage mechanisms in different configurations of supercapacitors. It describes the supercapacitor-related phenomena,...
InTech, 2011. — 558 p. Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge...
Springer, 2022. — 155 p. This thesis presents the first successful realization of a compact, low-noise, and few-cycle light source in the mid-infrared wavelength region. By developing the technology of pumping femtosecond chromium-doped II-VI laser oscillators directly with the emission of broad-stripe single-emitter laser diodes, coherent light was generated with exceptionally...
3rd ed. — New York: McGraw-Hill Higher Education, 2003. — 565 р. Deals with the electrical properties and characteristics of semiconductor materials and devices. The goal of this book is to bring together quantum mechanics, the quantum theory of solids, semiconductor material physics, and semiconductor device physics in a clear and understandable way. Prologue Semiconductor and...
3rd Edition. — The McGraw-Hill Companies, Inc., 2003. — 567 p. — ISBN: 0071198628. The purpose of the third edition of this book is to provide a basis for understanding the characteristics, operation, and limitations of semiconductor devices. In order to gain this understanding, it is essential to have a thorough knowledge of the physics of the semiconductor material. The goal...
4th Edition. — New York: The McGraw-Hill Companies, Inc., 2014. — 758 p. — ISBN: 978-0-07-352958-5. The purpose of the fourth edition of this book is to provide a basis for understanding the characteristics, operation, and limitations of semiconductor devices. In order to gain this understanding, it is essential to have a thorough knowledge of the physics of the semiconductor...
Wiley-ISTE, 2023. — 279 p. Defects play a key role in the physical properties of semiconductors and devices, and their identification is essential in assessing the reliability of electronic devices. Defects in Organic Semiconductors and Devices introduces the fundamental aspects of defects in organic semiconductors and devices in relation to the structure of materials and...
Bucuresti: Tehnica, 1979. — 869 s. — (Biblioteca de automatică, informatică). Trăim in epoca celei de a doua revoluții industriale, revoluție in care electronica este chemată să aibă un rol deosebit de important atît în sfera producției nemijlocite de bunuri materiale, cit şi în alte domenii de activitate. Asa după cum se poate constata cu ușurință, practic astăzi nu există...
Boca Raton: CRC Press, 2023. — 230 p. Smart thin films, composed of functional materials deposited in thin layers, have opened new avenues for the development of flexible, lightweight, and high-performance devices. Optoelectronics and Spintronics in Smart Thin Films presents a comprehensive overview of this emerging area and details the current and near future integration of...
Wiley-IEEE Press, 2017. — 471 p. — ISBN: 1119107350, 978-1119107354. Describes the physical effects (quantum, tunneling) of MOS devices. Demonstrates the performance of devices, helping readers to choose right devices applicable to an industrial or consumer environment Addresses some Ge-based devices and other compound-material-based devices for high-frequency applications and...
Springer Science+Business Media, Dordrecht, 2016. — 350 p. — (Topics in Applied Physics. Volume 131) — ISBN: 9789402408393 This book provides comprehensive coverage of the materials characteristics, process technologies, and device operations for memory field-effect transistors employing inorganic or organic ferroelectric thin films. This transistor-type ferroelectric memory...
ITexLi, 2017. —180 p. — ISBN: 9535131761. This book was designed to overview some of the concepts regarding field-effect transistors (FET) that are currently used as well as some concepts that are still being developed. In 1959, Atalla and Kahng at Bell Labs produced the first successful field-effect transistor (FET), which had been long anticipated by other researchers by...
John Wiley & Sons, Ltd, UK, 2016. – 440 p. – ISBN: 1118514572 The development of semiconductor devices began a little more than a century ago, with the discovery of the electrical conductivity of ionic solids. Today, solid state technologies form the background of the society in which we live. The aim of this book is threefold: to present the background physical chemistry on...
Springer, 1993. — 351 p. — (Microdevices: Physics and Fabrication Technologies Series). — ISBN: 978-1-4899-1242-8. This book examines the physical principles behind the operation of high-speed transistors operating at frequencies above 10 GHz and having switching times less than 100 psec. If the 1970s cannot be remembered for the opportunities for creating and extensively using...
Springer, 2018. — 205 p. — ISBN: 978-3-319-78616-2. This book presents state-of-the-art techniques for radiation hardened high-resolution Time-to-Digital converters and low noise frequency synthesizers. Throughout the book, advanced degradation mechanisms and error sources are discussed and several ways to prevent such errors are presented. An overview of the prerequisite...
Springer, 2006. — 159 p. — 978-0-387-28592-4. High-speed Photodiodes in Standard CMOS Technology describes high-speed photodiodes in standard CMOS technology which allow monolithic integration of optical receivers for short-haul communication. For short haul communication the cost aspect is important , and therefore it is desirable that the optical receiver can be integrated in...
Springer International Publishing, Switzerland, 2017. — 346 p. — ISBN: 3319315943 This book presents the state-of-the art of one of the main concerns with microprocessors today, a phenomenon known as "dark silicon". Readers will learn how power constraints (both leakage and dynamic power) limit the extent to which large portions of a chip can be powered up at a given time, i.e....
Oxford University Press, New York, 1988 - 252 p.
This book deals with the basic science of such contacts, and discusses the electrical properties that are relevant to semiconductor technology. Topics covered include the mechanism of formation oi Schottky barriers, the current-voltage relationship, the capacitance of rectifying contacts, and practical methods of fabricating...
Springer, 2024. — 418 p. This book is not simply about electronics but rather a thorough exploration of physics. Instead of isolating electronics as an art, its primary goal is to explain the physical principles behind electronic circuits and how they are applied practically. Electronics provides a framework for understanding physics, and vice versa. It is intended for advanced...
Springer, 2020. — 142 p. — ISBN: 978-3-030-55704-1. This book describes the benefits and drawbacks inherent in the use of virtual platforms (VPs) to perform fast and early soft error assessment of multicore systems. The authors show that VPs provide engineers with appropriate means to investigate new and more efficient fault injection and mitigation techniques. Coverage also...
2nd edition. — New York: Springer, 2017. — 935 p. This textbook describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physical concepts, while keeping the internal coherence of the analysis and explaining...
Singapore: World Scientific, 2020. — 296 p. This Guide to Semiconductor Engineering is concerned with semiconductor materials, devices and process technologies which in combination are the driving force behind the unprecedented growth of our technical civilization over the last half a century. This book was conceived and written keeping in mind those who need to learn about...
Springer, 2019. — 125 p. — ISBN: 978-3-030-04513-5. Describes the evolution of MESFET in the semiconductor industry. Discusses challenges and solutions associated with downscaling. Provides comprehensive information on the structure and operation of silicon MESFETs. This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced...
Springer, 2023. — 192 p. This book highlights advances in the field of THz engineering along with limitations of radio frequency (RF) technology. All engineering applications have been designed to operate over a specific frequency or wavelength range in electromagnetic spectrum. In recent years, the unexplored domain of THz range of electromagnetic spectrum has paved the way...
Hoboken: Wiley, 2015. — 263 p.
Spintronics (short for spin electronics, or spin transport electronics) exploits both the intrinsic spin of the electron and its associated magnetic moment, in addition to its fundamental electronic charge, in solid-state devices. Controlling the spin of electrons within a device can produce surprising and substantial changes in its properties....
CRC Press, 2016. — 292 p. — ISBN: 9781498767132. During the last decade, there has been a great deal of interest in TFETs. To the best authors’ knowledge, no book on TFETs currently exists. The proposed book provides readers with fundamental understanding of the TFETs. It explains the interesting characteristics of the TFETs, pointing to their strengths and weaknesses, and...
3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p. Resistivity Carrier and Doping Density Contact Resistance and Surface Barriers Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage Defects Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness Carrier Lifetimes Mobility Charge-Based and Probe Characterization Optical Characterization Chemical and Physical...
Wien; New York: Springer, 1984. — 307 p. Some Fundamental Properties Process Modeling The Physical Parameters Analytical Investigations About the Basic Semiconductor Equations The Discretization of the Basic Semiconductor Equations The Solution of Systems of Nonlinear Algebraic Equations The Solution of Sparse Systems of Linear Equations A Glimpse on Results Author Index...
Wiley-VCH Verlag & Co. KGaA, 2013. - 484 Pages. ISBN: 3527329781. На англ. языке. With its comprehensive coverage this handbook and ready reference brings together some of the most outstanding scientists in the field to lay down the undisputed knowledge on how to make electronics stretchable. As such, it focuses on gathering and evaluating the materials, designs, models and...
Wiley-VCH, 2013. — 484 p. — ISBN: 3527329781. On a daily basis, our requirements for technology become more innovative and creative and the field of electronics is helping to lead the way to more advanced appliances. This book gathers and evaluates the materials, designs, models, and technologies that enable the fabrication of fully elastic electronic devices that can tolerate...
Pearson, 2016. — 621 p. Solid State Electronic Devices is intended for undergraduate electrical engineering students or for practicing engineers and scientists interested in updating their understanding of modern electronics One of the most widely used introductory books on semiconductor materials, physics, devices and technology, Solid State Electronic Devices aims to: 1)...
2nd Edition. — Wiley-IEEE Press, 2022. — 655 p. — ISBN 978-1119674641. Discover a cutting-edge discussion of the design process for power magnetic devices. In the newly revised second edition of Power Magnetic Devices: A Multi-Objective Design Approach, accomplished engineer and author Dr. Scott D. Sudhoff delivers a thorough exploration of the design principles of power...
2nd Edition. — Wiley-IEEE Press, 2022. — 655 p. — ISBN 978-1119674641. Discover a cutting-edge discussion of the design process for power magnetic devices. In the newly revised second edition of Power Magnetic Devices: A Multi-Objective Design Approach, accomplished engineer and author Dr. Scott D. Sudhoff delivers a thorough exploration of the design principles of power...
World Scientific, 2010. — 305 p. — (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology). — ISBN: 978-981-4273-32-9. Electromigration in ULSI Interconnections provides a comprehensive description of the electromigration in integrated circuits. It is intended for both beginner and advanced readers on electromigration in ULSI interconnections. It begins...
CRC Press, 2023. — 298 p. — ISBN 978-1-032-14730-7. This book gives insight into the emerging semiconductor devices from their applications in electronic circuits. It discusses the challenges in the field of engineering and applications of advanced low-power devices. Emerging Low-Power Semiconductor Devices: Applications for Future Technology Nodes offers essential exposure to...
Apple Academic Press, CRC Press, 2022. — 318 p. Электронные устройства и схемотехника: проблемы и приложения в Интернете вещей This new volume offers a broad view of the challenges of electronic devices and circuits for IoT applications. The book presents the basic concepts and fundamentals behind new low power, high-speed efficient devices, circuits, and systems in addition to...
Wiley, 2016. — 469 p. — ISBN: 978-1-119-15549-2. This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices. This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field. It covers and connects...
Kluwer Academic Publishers, 2004. — 165 p. — ISBN: 978-1-4020-2849-6. This book aims for a systematic approach to the reduction of power dissipation in deep sub-micron CMOS logic. From the global literature overview it can be concluded that already a lot of effort has been put into finding power reduction techniques at the different levels. However, present literature lacks a...
Dordrecht: Springer Science+Business Media, 1997. — XI, 482 p. — ISBN: 978-90-481-4857-8; ISBN: 978-94-015-8921-5 (eBook). Many dynamical systems in physics, chemistry and biology exhibit complex behaviour. The apparently random motion of a fluid is the best known example. How ever also vibrating structures, electronic oscillators, magnetic devices, lasers, chemical...
Journal of Physics D: Applied Physics. — 2006. — V. 39. — P. 61–65. Abstract. The effect of a tunnel charge transport in the near-surface region of silicon on the electrical characteristics of MOS structures with a 2–3 nm insulator layer is studied theoretically. An equilibrium condition for the substrate is assumed. The cases of an Al and polySi gate are considered. The...
Boca Raton, USA: CRC Press, 2019. — 357 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN10: 1138587982. The book addresses the need to investigate new approaches to lower energy requirement in multiple application areas and serves as a guide into emerging circuit technologies. It explores revolutionary device concepts, sensors, and associated circuits and architectures that will...
Boca Raton, USA: CRC Press, 2019. — 357 p. — (Devices, Circuits, and Systems). — ISBN10: 1138587982. The book addresses the need to investigate new approaches to lower energy requirement in multiple application areas and serves as a guide into emerging circuit technologies. It explores revolutionary device concepts, sensors, and associated circuits and architectures that will...
Van Nostrand Reinhold, 1992. — 345 p. — ISBN: 978-1-4684-8547-9. As device dimensions decrease, hot-carrier effects, which are due mainly to the presence of a high electric field inside the device, are becoming a major design concern. On the one hand, the detrimental effects-such as transconductance degradation and threshold shift-need to be minimized or, if possible, avoided...
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — Vol. 26, 2015. — pp. 9226-9235. Electronics that must operate at extreme temperatures present a unique set of challenges that must be carefully addressed. We review the applications that are calling for high temperature electronics, discuss some of the underlying problems with standard technology, and examine the...
Analog Dialogue. — 2012. — Vol. 46. — No. 2. — p. 3-9. Many industries are calling for electronics that can operate reliably in harsh environments, including extremely high temperatures. Traditionally, engineers had to rely on active or passive cooling when designing electronics that must function outside of normal temperature ranges, but in some applications, cooling may not...
Cham: Springer, 2022. — 286 p. This textbook teaches the physics and technology of semiconductors, highlighting the strong interdependence between the engineering principles and underlying physical fundamentals. It focuses on conveying a basic understanding of the physics, materials, and processes involved in semiconductor technology without relying on detailed derivations. The...
Pan Stanford Publishing Pte. Ltd., Singapore, 2018. — 407 p. — ISBN: 9814669857. Moore's Law predicts that the degree of microprocessor integration of circuits would double every 18 months in DRAM. Although the scaling of microelectronic circuit elements still follows Moore's Law, the unit density of power consumption becomes unacceptable. Therefore, on one hand, people develop...
Boca Raton: CRC Press, 2024. — 149 p. This book aims to provide information in the ever-growing field of low-power electronic devices and their applications in portable device, wireless communication, sensor, and circuit domains. . Negative Capacitance Field Effect Transistor: Physics, Design, Modeling and Applications, discusses low-power semiconductor technology and addresses...
New York: Morgan & Claypool, 2017. — 151 p. Exa-scale computing needs to re-examine the existing hardware platform that can support intensive data-oriented computing. Since the main bottleneck is from memory, we aim to develop an energy-efficient in-memory computing platform in this book. First, the models of spin-transfer torque magnetic tunnel junction and racetrack memory are...
Journal of Physics D: Applied Physics. — 2007. — V. 40. — p. 337–354. A magnetic tunnel junction (MTJ), which consists of a thin insulating layer (a tunnel barrier) sandwiched between two ferromagnetic electrode layers, exhibits tunnel magnetoresistance (TMR) due to spin-dependent electron tunnelling. Since the 1995 discovery of room-temperature TMR, MTJs with an amorphous...
London: Academic Press, 2021. — 482 p. Ultrawide Bandgap Semiconductors, Volume 107 in the Semiconductors and Semimetals series, highlights the latest breakthrough in fundamental science and technology development of ultrawide bandgap (UWBG) semiconductor materials and devices based on gallium oxide, aluminium nitride, boron nitride, and diamond. It includes important topics on...
The Institution of Electrical Engineers, UK, 2002. — 200 p. — (EMIS Processing Series 02) — ISBN: 0852969988. Silicon carbide (SiC) is a wide bandgap semiconductor whose properties make it suitable for for devices and integrated circuits operating at high voltage, high frequency and high temperature. The second book in the EMIS Processing series explains why SiC is so useful in...
Springer International Publishing, Switzerland, 2016. — 217 p. — ISBN: 3319316516. This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit...
Springer International Publishing, Switzerland, 2016. — 192 p. — ISBN: 3319316516. This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit...
Учебное пособие для студентов ВУЗов специальностей электронной техники. — М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.: ил. В книге изложены физические основы взаимодействия ионов и электронов с веществом; рассмотрены возможности применения этих процессов в технологии изготовления приборов, интегральных микросхем на основе полупроводниковых и пленочных материалов и др. Содержание. Основные...
Учебное пособие для студентов ВУЗов специальностей электронной техники. — М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.: ил. В книге изложены физические основы взаимодействия ионов и электронов с веществом; рассмотрены возможности применения этих процессов в технологии изготовления приборов, интегральных микросхем на основе полупроводниковых и пленочных материалов и др. Содержание. Основные...
Под ред. Т.М. Агаханяна. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 256 с. — ISBN: 5-283-02963-8. Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "защелкивания", радиационно-индуцированного...
Учебное пособие. Томск, ТГУСУР, 2007, 139 с. Авторы: А.И. Аксенов, А.Ф. Злобина,Н.Г. Панковец, Д.А. Носков
Электронными приборами называют устройства, принцип действия которых основан на явлениях, связанных при движении электронов в вакууме, в газовой среде и в твердом теле. В зависимости от среды, в которой протекают основные процессы, электронные приборы подразделяются на...
Пособие для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальности «Физика (по направлениям)». — Гомель: ГГУ им. Ф. Скорины, 2014. — 92 с. Целью пособия является оказание помощи студентам специализации «Физическая метрология и автоматизация эксперимента» в овладении физическими основами электроники, теоретическими аспектами физики твердого тела, физическими...
Андреев В.В., Балмашнов А.А., Корольков В.И., Лоза О.Т., Милантьев В.П. Учеб. пособие. М.: РУДН, 2008. – 383 с. В пособии изложены основные разделы современной физической электроники. Книга носит междисциплинарный характер и находится на стыке различных областей современной физики. Содержание пособия направлено на приобретение студентами глубоких и современных знаний о...
М.: Радио и связь, 1988. — 272 с. Рассматриваются устройство, характеристики, параметры и области применения электронных приборов. Приводятся элементы расчета схем, а также электрические схемы цифровых и аналоговых вычислительных устройств, используемых в системах автоматики. Излагаются основы микропроцессорной базы, ее состав, характеристики и области применения. Описываются...
Лабораторный практикум : Изд-воТПУ, 2006. – 59 с. В лабораторном практикуме содержится краткое описание физических процессов в основных типах полупроводниковых приборов, применяемых в современных электронных системах, устройств автоматического управления и пр., описан порядок проведения экспериментов при исследовании конкретных схем, приведены требования к оформлению очетов по...
Учебное пособие. М.: МИФИ, 2008. 48 с. Пособие содержит три самостоятельных раздела: «Эффекты в полупроводниковых ИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения», «Описание моделирующей установки АРСА», а также «Лабораторная работа», целью которой является изучение радиационных эффектов при воздействии ИИИ на БИС ОЗУ К53РУ6, К132РУ5 и К541РУ 1. Лабораторная работа по...
Москва: Наука, 1985. — 320 с. Посвящена систематическому подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны. Учтено увлечение носителей тока фононами в...
Учебно-методическое пособие к лабораторным работам. — Бишкек: Изд-во КРСУ, 2011. — 34 с. Представлены описания лабораторных работ практикума по курсу «Физические основы электроники». Характер описания лабораторных работ учитывает автономность изложения теоретического курса от прохождения физического практикума. Предназначено для студентов инженерных и естественно-технических...
Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и математика....
Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и математика....
Владивосток: ME-BOOK, 2024 г. — 345 стр., Сегодня, в 2024-м году, радиоэлектроника нуждается в создании точных математических моделей вольт- амперных характеристик электронных приборов. В данной книге была предпринята попытка решить задачи точного математического моделирования вольт-амперных характеристик с применением ТФА – теории физических аналогий. Семейства вольт-амперных...
Учебное пособие. — Воронеж: Воронежский государственный технический университет, 2011. — 255 c. В учебном пособии рассмотрены структура, механические, тепловые, магнитные свойства твердых тел, основы зонной теории и физические свойства диэлектриков, необходимые при изучении курса физические основы микроэлектроники. Издание соответствует требованиям Государственного...
Учебное пособие. — Ульяновск: УлГТУ, 2006. — 115 с.
Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21020165 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". В пособие включены такие разделы, как основы квантовой механики, основы физики твердого тела, основы квантовых статистик, основы физики полупроводников. Пособие представляет собой...
Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с.
Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики...
М.: Физматлит, 2006. — 424 c. В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем...
Москва: Физматлит, 2008. — 424 с. — ISBN: 978-5-9221-0679-5. В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие...
СПб.: Лань, 2001. — 272 с.
Современная электроника как научно-техническое направление имеет дело с исследованием и техническим применением физических явлений в материальны средах с заряженными частицами - в вакууме, плазме и твердом теле для создания разнообразных электронных приборов и устройств.
Изучение физических закономерностей, положенных в основу принципа действия...
Учебное пособие. — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 143 с. Пособие посвящено физическим основам электронной эмиссии и основным направлениям практического использования эмиссии заряженных частиц из твердого тела в вакууме. Рассматриваются фундаментальные вопросы границы раздела металл-вакуум, основные типы эмиссии и примеры их практического использования....
Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Эмиссионная электроника» для магистрантов, обучающихся по магистерской программе 210102 «Микроволновая электроника» направления 210100 «Электроника и микроэлектроника». — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 24 с. Теоретическая часть. Прохождение электронов через вещество. Функция тепловых источников....
Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Эмиссионная электроника» для магистрантов, обучающихся по магистерской программе 210102 «Микроволновая электроника» направления 210100 «Электроника и микроэлектроника». — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 19 с. Введение. Основные свойства и элементы теории разряда Пеннинга. Экспериментальная...
Учебное пособие. — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 115 с. Пособие содержит курс лекций, в котором рассмотрены основы динамики заряженных частиц в электрическом и магнитном поле, физические процессы, происходящие при генерации и транспортировке интенсивных электронных пучков, вопросы магнитной изоляции высоковольтных вакуумным промежутков и передающих линий, а...
Беляев А.Е., Бессолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. — Киев: Наукова Думка, 2016. — 258 с. В монографии систематизированы и обобщены результаты по особенностям технологии объёмных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, физико-технологических, модельных и теоретических исследований...
Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с.
Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами.
Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и...
Экзамен. г. Томск. Томский политехнический университет. 2013-2014 год. 47 билетов. Старший преподаватель Глазырин А.С. Для студентов технических специальностей. Кафедра ЭПЭО. Учебная дисциплина: «Физические основы электроники». 3 курс, 5 семестр.
ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов.; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных...
Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с.
ISBN5-88151-173-5
Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и...
Курс лекций. — Пермь: Пермский государственный технический университет, 2000. — 130 c. Курс лекций предназначен для студентов специальностей "Автоматизация техноло-гических процессов", "Электронная вычислительная техника". Развитие электроники Основные свойства электронных приборов Физические основы проводимости полупроводников Количественные соотношения в физике полупроводников...
М.: МГГУ, 1999. — 291 c. Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные соотношения для анализа работы элементов и отдельных устройств электроники, в конце каждой главы даны контрольные вопросы. В пособии приведен...
Учебное пособие для вузов. — 2-е издание, стереотипное. — Москва: Издательство Московского государственного горного университета, 2003. — 290 с. — ISBN: 5-7418-0130-7. Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные...
Науч.-исслед. ин-т полупроводниковых приборов (АО "НИИПП"). — Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2016. — 528 с. Монография предлагает анализ сложившихся представлений по основным вопросам физики контактов металл – полупроводник с барьером Шоттки с широким привлечением различных моделей. Представлены также собственные взгляды автора по дискуссионным...
Навчальний посібник. — Київ: Національний університет біоресурсів і природокористування України (НУБіП України), Компринт, 2021. — 575с. У посібнику викладено основи теорії твердого тіла та проаналізовані фізико-технічні особливості виготовлення і практичного застосування матеріалів - діелектриків, магнетиків, напівпровідників, металів та наноматеріалів в сучасній електронній...
Методические рекомендации к самостоятельной работе студентов специальности «Автоматические электроприводы». — Могилев: БРУ, 2015. — 32 с. Методические рекомендации предназначены для студентов специальности «Автоматизированные электроприводы» при выполнении расчетно-графических заданий. Требования к выполнению расчетно-графических и контрольных работ. Расчет электронных устройств...
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле...
Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции,
21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176
Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных
лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по-
верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это
обеспечивают защитные...
Воронеж: Изд-во ВГУ, 2002. - 27 с. - Уч.-метод. материалы.
Настоящие материалы являются дополнением к учебному пособию "Физика и метрология МДП-структур" (Воронеж, Изд-во ВГУ, 1997).
Работа №1. Изучение МДП структур методом равновесных ВЧ вольт-фарадных характеристик.
Работа №2. Определение профиля легирования полупроводника методом неравновесных вольт-фарадных характеристик.
Уч. пособ. - Воронеж: Изд-во ВГУ, 2003. - 43 с.
Работа №3. Автоматизированный контроль электрофизических параметров МДП-структур.
Работа №4. Определение генерационно-рекомбинационных характеристик МДП-структур.
Практикум / Науч. ред. Петров Б.К. - Воронеж: ВГУ, 2003. - 31 стр.
Практикум к спецкурсу ''Моделирование в микроэлектронике'' подготовлен на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для студентов 4 и 5 курсов физического факультета специальности ''Микроэлектроника и полупроводниковые...
Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.04 физическая электроника. — Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. — Санкт-Петербург, 2010. — 32 с. Научный консультант: доктор физико-математических наук Вахрушев С.Б. Цель работы Разработка методологических аспектов использования рентгеновского излучения в...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 496 с. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. Рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 496 с. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. Рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие...
Лабораторный практикум. — Омск: Изд-во ОмГУ, 2005. — 175 с. — ISBN 5-7779-0543-9.
Рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключательных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабораторных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.
Воронеж : Издательский дом ВГУ, 2016. — 120 с. Учебно-методическое пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Рекомендуется для слушателей Президентской программы повышения квалификации инженерных кадров «Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и...
М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1990 (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — 216 с. — ISBN 5-02-014023-6. Рассмотрены процессы образования дефектов в кристаллическом кремнии. Дан анализ микроструктуры дефектов, приведены сведения об энергетическом спектре локальных электронных состояний, связанных с различными типами дефектов объеме и...
М.: Советское радио, 1973. — 228 с. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Книга предназначена для...
Перевод с англ. — Москва: Советское радио, 1973. — 228 с., ил. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Книга...
СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии,...
СПб.: Лань, 2013. — 368 с. В пособии приводятся элементарные сведения из физики твердого тела и физики поверхности, необходимые для понимания процессов взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. Подробно рассматриваются механизмы термоэлектронной эмиссии, эмиссии электронов, вызываемой наличием сильных электрических полей, фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссии,...
Учебно-методическое пособие. — СПб.: СПбГУ, 2007. — 187 с.
Содержание
Введение
Модель металла Зоммерфельда
Химический потенциал
Работа выхода электрона
Поляризационная часть работы выхода
Растекание электронного газа
Эффект сглаживания электронного газа
Влияние внешнего электрического поля на работу выхода металла
Влияние периодичности решетки на электронные...
Москва: Московский технический университет связи и информатики, 2016. — 68 c. Данное учебное пособие содержит общие сведения об электрических свойствах веществ и контактов различных материалов, используемых в электронике, описание принципов работы и характеристик структур на их основе, а также основные принципы моделирования электронных элементов. Настоящее пособие полезно для...
Курс лекций / Новосиб. гос. ун-т. Новосибирск, 2009. — 192 с. Учебное пособие включает лекции по обязательному одноименному курсу, читаемому для студентов отделения информатики физического факультета Нгу и предназначено для студентов 4 курса кафедр Афти и Фти. Так как современная микроэлектроника – это полупроводниковая микроэлектроника, примерно половина курса посвящена...
Томский политехнический университет. Презентация к лекции. 5 слайдов. 2014 г. ВАХ p-n перехода может быть описана функцией… Два основных вида пробоя Ёмкость p-n перехода. Барьерная и диффузионные ёмкости. Классификация диодов
Монография / Под ред. чл.-корр. РАН А.С. Сигова. - М.: Энергоатомиздат, 2011.- 175 с. ил.
Скан 600 dpi + OCR
В книге рассмотрено современное состояние и перспективы развития нового поколения устройств приема, обработки и хранения информации на основе интеграции сегнетоэлектрических материалов с технологиями современной микроэлектроники.
Книга содержит анализ перспективных...
Н. Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета, 1996. — 34 с. Обсуждаются энергетические спектры электронов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой. Рассмотрено туннелирование электрона как через статический потенциальный барьер, так и через барьер, высота которого гармонически изменяется во времени.
Томск: НТЛ, 2012. — 112 с. — ISBN: 978-5-89503-491-0. В книге рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых газовых сенсоров на основе тонких пленок металлооксидных полупроводников, кремниевых МОП-структур и туннельных МОП-диодов. Представлен детальный анализ механизмов воздействия окислительных и восстановительных газов на электрические характеристики сенсоров....
Саратов: СГУ, 2008. — 85 с. Представлены описания лабораторных работ по физической электронике, в которых изложены основные теоретические сведения по изучаемым явлениям, методические указания и описания экспериментальных установок, используемых при выполнении работ. К каждой работе имеются контрольные вопросы. Работы охватывают разделы физической электроники, относящиеся к...
Москва, государственное издательство физико-математической литературы, 1960 год, 516 страниц Книга разделена на две части. В первой части излагаются физические основы электроники, т. е. описание и теория явлений, имеющих важное значение для работы электровакуумных и полупроводниковых приборов. Вторая часть содержит физические основы действия электровакуумных и полупроводниковых...
Москва. Государственное издательство физико-математической литературы, 1960. — 516 с. Книга разделена на две части. В первой части излагаются физические основы электроники, т. е. описание и теория явлений, имеющих важное значение для работы электровакуумных и полупроводниковых приборов. Вторая часть содержит физические основы действия электровакуумных и полупроводниковых...
Учебное пособие. — Челябинск: Южно-Уральский государственный университет, 2019. — 110 с.— ISBN: 978-5-696-05072-0. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки “Электротехника и электроэнергетика”, “Автоматизация технологических процессов и производств” и “Мехатроника и робототехника”. В пособии рассмотрены...
Учебное пособие. — Москва; Костанай: 2003. — 274 с. — ISBN: 9965-9273-2-4. Радиационная технология полупроводников в настоящее время заняла ведущее место в общей технологии микроэлектроники благодаря возможности прецизионного воздействия и управления свойствами. В настоящее время уже хорошо изучены физические процессы, связанные с воздействием радиации на материалы и ее...
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с.
Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы:
Физические основы работы полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Тиристоры.
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2015. — 224 с. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Энергетические уровни и зоны. Проводники, полупроводники и диэлектрики. Собственная электропроводность полупроводников. Распределение электронов по энергетическим уровням. Примесная электропроводность полупроводников. Процессы переноса зарядов в...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2021. — 154 с. Введение. Электронная структура кристаллов. Электроны и дырки в полупроводниках. Движение носителей заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Поверхностные явления в полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках. Фотоэлектрические явления и светоизлучение. Библиографический список.
МАИ, 1990, 42 с.
Исследование полупроводниковых диодов.
Исследование биполярного транзистора.
Исследование полевого транзистора.
Исследование однокаскадных транзисторных усилителей.
Исследование интегрального дифференциального усилительного каскада.
Исследование многокаскадных усилителей.
Исследование импульсного усилителя.
Исследование импульсных генераторов и...
М. Наука. 1985. 233 с.
Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках
Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства
Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок
Пленочные термобатареи и их использование в метрологии
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1972. — 320 с. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi 2 Te 3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое внимание уделено общим вопросам...
М.: Атомиздат, 1971. — 120 с. В книге рассмотрено влияние ионизирующих излучений на электрофизические характеристики материалов, используемых для изготовления радиодеталей. Основное внимание уделяется теоретическим и экспериментальным исследованиям характера изменения параметров материалов в условиях импульсного и непрерывного y- и нейтронного излучений. Приведены результаты...
Учебное пособие. — Томск: Томский политехнический университет, 2013. — 172 с. В пособии изложены краткие теоретические сведения об электрических сигналах, их параметрах и формах представления. Приведены сжатые технические описания типовых профессиональных контрольно-измерительных приборов (КИП) с рекомендациями по их практическому применению при выполнении электрических измерений...
Учебное пособие. Моск. гос. ин-т электроники и математики. М., 2006, 36с.
В пособии изложены физические основы процессов ионно-плазменного нанесения тонких пленок. Рассмотрены разновидности процесса ионно-плазменного и плазмохимического нанесения пленок. Кратко рассмотрено ионно-лучевое осаждение металлических и алмазоподобных углеродных пленок.
Пособие предназначено для...
М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012.— 352 с. Скан 600 dpi + OCR
Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих происходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых...
М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2012. — 352 с.
Изучение нелинейных явлений в многокомпонентных гетерогенных системах, находящихся в аморфном, нано- и микрокристаллическом состояниях, способствует установлению физической природы многих про-исходящих в них явлений и совершенствованию существующих теоретических положений, а следовательно, и разработке новых материалов, обладающих...
Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с.
Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния
Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет).
Целью работы являлось создание...
Методические указания к лабораторным работам. — Изд. второе пер. и доп. — СПб: Балтийский государственный технический университет им. Д.Ф. Устинова (БГТУ) "Военмех", 2000. — 25 с.: ил. Исследование электрических свойств проводниковых материалов. Исследование свойств терморезисторов. Исследование свойств варисторов. Исследование свойств фоторезисторов. Исследование свойств...
Методические указания к лабораторным работам. — Кемерово: ГУ КузГТУ, 2009. — 32 с. Дисциплины – Физические основы электроники, Физические основы промэлектроники, Информационно-измерительная техника и электроника. Стенд позволяет проводить лабораторные работы по изучению и исследованию основных элементов, узлов и устройств цифровой и вычислительной техники Описание...
Учебное пособие, методические указания и тематика контрольных работ для студентов заочного обучения. — Бишкек: Кыргызско-Российский Славянский университет, 2004. — 46 с. Изложены теоретические основы физических процессов современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Для студентов технических специальностей заочной и дневной формы обучения.
Учебное пособие и лабораторный практикум (методические указания) к выполнению лабораторных работ для студентов ЕТФ. — Бишкек: КРСУ, 2018. — 100 с.: ил. Учебное пособие содержит теоретические основы физических процессов современных полупроводниковых приборов и интегральных схем. В методических указаниях показаны алгоритмы выполнения лабораторных работ. Пособие будет полезно...
М.; Л.: ГТТИ, 1952. — 311 с. Введение. "Свободные" электроны. Состояние электронов в периодическом поле. Полупроводники. Термодинамика термоэлектронной эмиссии. Статистическая теория термоэлектронной эмиссии. Экспериментальные исследования термоэлектронной эмиссии чистых металлов. Влияние электрического поля на термоэлектронную эмиссию. Распределение термоэлектронов по скоростям....
Москва: Наука, 1966. — 564 с. В научной литературе нет книг, охватывающих все вопросы эмиссионной электроники на достаточно современном уровне. В то же время потребность в такой монографии ощущают многие специалисты, работающие в области физической и технической электроники. С момента выхода в 1950 г. книги проф. Л. Н. Добрецова «Электронная и ионная эмиссия» появились и...
Москва: Наука, 1966. — 564 с. В научной литературе нет книг, охватывающих все вопросы эмиссионной электроники на достаточно современном уровне. В то же время потребность в такой монографии ощущают многие специалисты, работающие в области физической и технической электроники. С момента выхода в 1950 г. книги проф. Л. Н. Добрецова «Электронная и ионная эмиссия» появились и...
Учебно-методический комплекс для студентов специальности «Моделирование и компьютерное проектирование радиоэлектронных средств». — Новополоцк: ПГУ, 2006. — 192 с. Рассмотрены физические эффекты, основные физико-химические процессы и закономерности сплошных сред, широко использующиеся при проектировании, производстве и эксплуатации современной микроэлектронной аппаратуры....
Учебная практика: Методические указания. – Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2011.-48 с.
Приложения
Положение о учебной практике
Программа практики
Банк индивидуальных заданий для учебной практики
Методические указания по проведению учебной практики
Цели и задачи учебной практики
Под ред. Д. В.3ернова. М.: Государственное издательство физико-математический литературы, 1958. 274 с.
В книге собраны и обобщены результаты теоретических и экспериментальных работ в области звтоэлектронной эмиссии. Для инженеров и научных работников, занимающихся электроникой, а также будет полезна для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в этой области....
М.: Советское радио, 1971. — 376 с. В книге рассмотрены: элементы квантовой механики и статистической физики; основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники. Книга является учебным пособием по курсу Физические основы микроэлектроники, предназначенным для студентов специальности Конструирование и...
М.: Советское радио, 1971. — 376 с. В книге рассмотрены: элементы квантовой механики и статистической физики; основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники. Книга является учебным пособием по курсу Физические основы микроэлектроники, предназначенным для студентов специальности Конструирование и...
Учебно - методическое пособие. — Самара: Изд-во Самар, гос. аэрокосм. ун-та, 2008. — 84 с. ISBN: 978-5-7883-0662-9 В пособии изложены теоретические положения и физико-технические методы анализа параметров физических сред и элементов конструкций, используемых в конструкторско-технологической практике создания микроэлектронных устройств. Приведен большой круг задач и упражнений...
Учебное пособие. — Челябинск: Южно-Уральский государственный университет (ЮУрГУ), 2018. — 54 с. Пособие предназначено для студентов физического факультета по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника» 11.03.04 и 11.04.04. Оно содержит работы, посвященные физико-химическим основам технологии электронных средств. В нём изложены план коллоквиума, цели работы, основные...
Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.04 – физическая электроника. — Институте прикладной физики Российской академии наук. — Нижний Новгород, 2011. — 37 с. Целью диссертационной работы является разработка и исследование физических принципов создания мультимегаваттных источников сверхвысокочастотного излучения...
Л.: ЛПИ, 1988. — 68 с. В первом разделе пособия излагаются физические основы акустоэлектроники. Рассматриваются свойства поверхностных акустических волн в пьезокристаллах, способы их возбуждения и приема. Описываются принципы функционирования различных элементов и устройств на поверхностных акустических волнах, обсуждаются вопросы их применения в радиофизике и электронике. Во...
Л.: ЛПИ, 1988. — 68 с. В первом разделе пособия излагаются физические основы акустоэлектроникн. Рассматриваются свойства поверхностных акустических волн в пьезокристаллах, способы их возбуждения и приема. Описываются принципы функционирования различных элементов и устройств на поверхностных акустических волнах, обсуждаются вопросы их применения в радиофизике и электронике. Во...
Задачник. — Таганрог: ТРТУ, 2005. — 91 с. Сборник разрабатывался для студентов-очников 3-го курса по специальности 21.02.02, но подходит и для других специальностей и курсов. Его преимущество в том, что в него вложены ответы и решения на часто попадающиеся задачи по дисциплине "Физические основы электроники". Элементы квантовой механики Статистика носителей заряда в...
Методические указания по выполнению лабораторных работ. – Хабаровск: ДВГУПС, 2013. – 16 с.
Методические указания составлены для выполнения лабораторной работы по разделу "Электричество", кратко рассмотрены теоретические основы явления термоэлектронной эмиссии с поверхности металлов, приведен порядок выполнения работы.
Указания предназначены для студентов 1–2–го курсов...
Учебное пособие. — Томск: ТУСУР, 2020. — 172 с. Рассматриваются основные физические процессы взаимодействия ускоренных частиц и плазмы с веществом, принципы работы пучкового и плазменного технологического оборудования, применение электронно-ионно-плазменных технологий в промышленности. Для аспирантов направления подготовки 11.06.01, а также студентов и аспирантов высших учебных...
Учебное пособие. — СПб.: СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. — 56 с. — ISBN 5-7629-0474-1. Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам...
Методические указания к лабораторным работам. — Томск: ТУСУР, 2017. — 88 с. Методические указания по лабораторной работе предназначены для бакалавров, изучающих дисциплину «Физико-химические основы технологии электронных средств» по направлению подготовки «Конструирование и технология электронных средств», для магистрантов, изучающих дисциплину «Полимерные материалы в...
Методические указания по выполнению курсовой работы. — Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2017. — 37 с. Содержатся теоретические сведения по расчету скорости осаждения, даны методические рекомендации по выполнению курсовой работы, изложены требования к пояснительной записке. Методические указания предназначены для студентов,...
Учебно-методическое пособие для проведения практических занятий и самостоятельной работы для бакалавров, обучающихся по направлению подготовки «Конструирование и технология электронных средств». — Томск: ТУСУР, 2017. — 46 с. В пособии рассмотрены типовые задачи по темам «Индексы граней кристаллов» и «Поверхностные процессы и явления», а также приведены варианты двух контрольных...
Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2017. — 307 с. В учебном пособии рассматриваются физико-химические основы технологических процессов производства электронных средств. Основное внимание уделяется рассмотрению теоретических закономерностей в процессах, связанных с современными методами формирования микроэлектронных структур: процессам...
Методическое пособие. — Тамбов: ТГТУ, 2001. — 55 с.
Содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов.
Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.
3-е изд., стер. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2009. – 48 с. Даны методические указания и описание лабораторных работ, посвящённых исследованию различных физических характеристик полупроводниковых материалов, используемых в приборостроении. Предназначены для студентов специальности 2102010 дневной и заочной форм обучения.
2-е изд. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. - 56 с.
Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов.
Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.
Учебное пособие для студентов физических и технических специальностей. — Петрозаводск : Издательство ПетрГУ, 2016. — 54 с. В пособии рассмотрены основные процессы в тонкопленочных структурах, которые широко применяются в современной электронике и микроэлектронике как в дискретных элементах, так и в интегральных схемах, в т.ч. флэш-памяти, ФПЗС и т.д. Пособие издано для поддержки...
Учебное пособие. – Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов....
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны...
Казань, 2009. — 114 с. Даны общие указания по выполнению работ, представлены краткие теоретические сведения по каждой теме, вопросы для допуска к работе, контрольные вопросы. Лабораторные работы: Изучение лабораторного стенда «Промэлектроника – 2». Исследование полупроводниковых приборов. Исследование биполярного транзистора. Исследование полевого транзистора с управляющим p-n...
Лабораторная работа по физическим основам электроники-
Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами
УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год
Санкт-Петербург, СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002 - 80с Взаимодействие ионных потоков с твердым телом. Тормозная способность и пробег ионов. Торможение ионов и распыление твердотельной мишени. Торможение ионов и ионная имплантация. Метод резерфордовского обратного рассеяния (РОР). Исследование начальных стадий роста пленок методом РОР. Рентгеновское излучение, возбуждаемое ионами.
Учебник для вузов. — М.: Высшая школа, 1972. — 636 с.
Издание поможет студенту не только усвоить и оперативно повторить учебный материал перед сдачей зачета и экзамена, но и качественно подготовиться к семинарским занятиям, на- писать курсовую и дипломную работу. Содержание учебно-методического комплекса полностью соответствует требованиям государственного образовательного...
ТУСУР, 3 курс, ФДО, Лабораторная работа №
1. Работа содержит в себе полный отчет по лабораторной работе с теоретической и практической частями,графиком, выводом и ответами на контрольные вопросы. Зачтена. Замечания: в графике на зависимостях отсутствуют точки, соответствующие экспериментальным данным и отображение обратного тока.
ТУСУР, 3 курс, ФДО, Лабораторная работа №2. Работа содержит в себе полный отчет по лабораторной работе с теоретической и практической частями,графиком, выводом и ответами на контрольные вопросы. Зачтена. Замечания: на осциллограммах необходимо добавить разметку осей.
309 кафедра МАИ, препод - Фаворский К.Г., 7 с.
ВАХ диодов.
ВАХ при повышенной температуре.
Определение значений прямого напряжения, статического и дифференциального сопротивлений.
Определение значения температурного коэффициента напряжения.
ВАХ стабилитронов.
Определение значений напряжения стабилизации.
Зависимость среднего выпрямленного тока от частоты.
Изображения...
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я.
Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков
Лабораторная работа №2, Кафедра электроники, Екатеринбург, 2006, 4 с. Название вуза, ФИО преподавателя, вариант не указаны. Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).
КазНТУ им. Сатпаева, Алматы, Казахстан, преподаватель Джурунтаев Д.З., 2008, 14 с. Лабораторная работа по дисциплине: Аппаратные средства защиты и безопасности информации. Тема: Исследование схем триггеров и регистров. Задание: Отобразите на рабочем поле программного комплекса Electronics Workbench (EWB) схемы синхронных триггеров RS- и D- типов, управляемых уровнем тактирующего...
1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик;
2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ
Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.
Цель работы: Изучить законы Кирхгофа. Рассмотреть последовательное, параллельное и смешанное соединение токоприемников, исследовать распределение токов, напряжений и мощностей в каждой цепи.
1) Последовательное соединение приемников.
1) Параллельное соединение приемников.
2) Смешанное соединение приемников.
КазНТУ им. Сатпаева, Алматы, Казахстан, преподаватель Джурунтаев Д.З., 2008. Лабораторная работа по дисциплине: Аппаратные средства защиты и безопасности информации. Тема: Исследование цифровых счетчиков и распределителей сигналов. Задание: Исследуйте с помощью программного комплекса EWB схему счетчика с естественным порядком счета (с параллельным переносом) на триггерах...
НИУ ИТМО, Санкт-Петербург, 2012 год, 5 страниц, преп. Мамыкин Александр Иванович
Теория по эффекту Холла.
Порядок выполнения лабораторной работы (формулы).
Характеристики образца Si(кремний).
Методика измерений.
Результаты.
Контрольные вопросы.
М. - Энергия, 1972 г., 528 стр.
В книге рассмотрены не только приборы дугового несамостоятельного и самостоятельного разрядов, но и все разновидности приборов тлеющего разряда. Рассмотрены общие закономерности, на которых базируются физические свойства и характеристики рассмотренных классов приборов.
Книга рассчитана на использование ее в качестве учебного пособия на...
Новосибирск : СибГУТИ, 2007. — 89 с. Микроэлектроника – область электроники, объединяющая комплекс физических, радиотехнических и технологических проблем, направленных на создание сложных электронных схем для обработки и передачи информации, выполненных интегрально на едином основании, заключенном в корпус. Фактически микросхемы создаются на отдельном кристалле – чипе, как...
Әдістемелік нұсқаулықтар. — Алматы: АЭжБУ, 2014. — 20 б. Әдістемелік жетекші құралда есептеу - сызба жұмыстарының (ЕСЖ) тапсырмалары, ЕСЖ мазмұнына және оны дайындауға әдістемелік сілтемелер мен талаптар, керекті әдебиеттер келтірілген.
Алматы: АУЭС, 2014. — 50 с. Излагается краткое содержание лекций по дисциплине «Физические основы микроэлектроники» для студентов специальности 5В070400 — Вычислительная техника и программное обеспечение. Приведены цели изучения, определяющие уровень усвоения определенного учебного материала. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» представляет собой ещё один...
Москва: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1954. — 464 с. Предлагаемая читателю книга написана как учебник, соответствующий курсу «Электроника» на радиофизическом отделении университета, и содержит изложение лекций, читаемых в течение ряда лет её автором, с дополнениями, соответствующими современному состоянию электроники. В соответствии с программой...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2021. — 123 с. — ISBN 978-5-9275-3987-1. Излагаются физические основы описания электромагнитных явлений, происходящих в материалах в сверхпроводящем состоянии. Описаны радиофизические измерительные устройства, построенные на эффектах, связанных со сверхпроводимостью. В учебном пособии также...
Государственное военное издательство, 1931. - 112 с. Пособие для техников воздушного флота. Устройство, обслуживание и принцип работы генераторов, магнето, аккумуляторов, свечей зажигания.
Учебное пособие. — Екатеринбург: Уральский университет, 2022. — 103 с. В учебном пособии рассмотрены вопросы полупроводниковой электроники: физические основы, принцип действия и характеристики основных полупроводниковых приборов. Материал изложен в соответствии с программой обучения дисциплины «Основы электроники» для студентов, обучающихся по направлению подготовки 13.03.02 —...
Воронеж: ВГТУ, 2002. — 102 с. В учебном пособии рассматриваются основные принципы построения усилителей постоянного тока, в том числе дифференциальных усилительных каскадов, их принципиальные схемы. Приведены основы работы операционных усилителей. В качестве применения полупроводниковых приборов представлены схемы автогенераторов гармонических колебаний, описание их работы.
Кемерово: КузГТУ, 2015. — 60 с. Методические указания к лабораторным работам рекомендованы учебно-методической комиссией направления 13.03.02 (140400.62) «Электроэнергетика и электротехника» в качестве электронного издания для использования в учебном процессе. Цель работы: получить общие сведения об устройстве резисторов и конденсаторов, научиться определять параметры...
Миколаїв: УДМТУ, 2002.– 32 с.
Методичні вказівки містять декілька розділів, кожний з яких включає розв’язання
типових задач. Наведені задачі дають можливість розв’язувати їх без додаткового
довідкового матеріалу.
Методичні вказівки призначено для індивідуальної роботи студентів
неелектротехнічних спеціальностей денного, заочного відділень та дистанційного
навчання...
Учебное пособие. — Ульяновск: Ульяновский государственный технический университет (УлГТУ), 2020. — 74 с. — ISBN 978-5-9795-1999-9. В учебном пособии рассмотрен предмет микроэлектроники, изложены основные положения квантовой механики, рассмотрены вопросы кристаллического состояния вещества, понятие кристаллической решётки и симметрии кристаллов, получены основы зонной теории...
Учебное пособие. — Ульяновск: Ульяновский государственный технический университет (УлГТУ), 2021. — 102 с. — ISBN 978-5-9795-2147-3. В учебном пособии рассмотрены физические основы процессов, в которых участвуют носители заряда в полупроводниках, их характеристики, а также основные процессы, протекающие при работе базовых полупроводниковых электронных устройств. Пособие является...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2021. — 91 с. — ISBN 978-5-9275-3919-2. В учебном пособии излагаются основы метода молекулярной динамики, являющегося одним из эффективных методов при моделировании физических процессов. Основной целью данного учебного пособия является изучение теоретических основ и приобретение практических навыков...
Учебное пособие. — Куйбышев: Куйбышевский государственный университет, 1974. — 161 с. В предлагаемом учебном пособии рассмотрены такие разделы, как элементы квантовой механики и статистической физики, основы физики твердого тела , тонкие пленки, которые необходимы при изучении курса физических основ микроэлектроники и могут быть полезными для студентов университета по...
Учебное пособие. — Куйбышев: Куйбышевский государственный университет, 1974. — 161 с. В предлагаемом учебном пособии рассмотрены такие разделы, как элементы квантовой механики и статистической физики, основы физики твердого тела , тонкие пленки, которые необходимы при изучении курса физических основ микроэлектроники и могут быть полезными для студентов университета по...
Учебное пособие. М.: МИФИ, 2009. 52 c. В пособии приводится краткая классификация полупроводниковых приборов, определения режимов работы транзисторов и линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы (схемы замещения) транзисторов в активном режиме, а также методика и примеры расчетов параметров. этих эквивалентных схем. Предназначено для студентов дневного и вечернего отделений,...
МГУЛ 2012. Курсовая работа на тему вращающиеся трансформаторы. 10 печатных листов.
1. Физические основы, конструкция и применение вращающихся трансформаторов
2. Пример контактного вращающегося трансформатора
3. Заключение
4. Список литературы
Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.
Доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2),...
Контрольная работа по ФОЭ. СПГГИ (ТУ), сост. Стороженко С.В. Задача 1. Данные стабилитрона: Uст = 6,8В. Icт(мин)=3мА. Icт(макс)=0,6 мА. Найти Rб, если Uвх от до ; Rн = 2,7кОм. Определить будет ли обеспечена стабилизация напряжения во всем диапазоне изменения Uвх. Задача 2. Рассчитать параметры навесных элементов многовходного сумматора – вычитателя, построенного на ОУ, выходное...
Монография. — Минск: Наука и техника, 1986. — 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как...
Лабораторний практикум для студентів III курсу фізичного факультету. - Запоріжжя: ЗНУ, 2008
Практикум містить теоретичні положення, основні поняття, мету та етапи дослідження, рекомендації по проведенню лабораторних робіт та обробці результатів досліджень, контрольні питання.Призначений для студентів III курсу фізичного факультету спеціальностей Фізика, Прикладна фізика денного...
Москва "Недра" 1984 Учебник для вузов. Изложены теории непрерывных электронных и импульсных цепей, основы преобразовательной техники; описано использова-ние средств вычислительной техники в системах управления и применение электронных устройств в задачах автоматизации и электрификации горных работ. Во втором издании (1-е изд. — 1973) приведены сведения о микроэлектронике,...
Методические указания к лабораторным работам. — Составители: И.Л. Кривошеин, Ю.В. Кротов, А.С. Морозов, В.А. Хлебников. — Киров: Вятский Государственный Университет, 2004. — 69 с.
Исследование неуправляемых полупроводниковых выпрямителей.
Исследование управляемого выпрямителя и регулятора переменного напряжения на тиристорах.
Исследование свойств биполярного транзистора и...
Ярославль : ЯрГУ, 2009 - 137 c.— ISBN: 978-5-8397-0663-7 "Пособие посвящено анализу строения различных веществ, электронных и ионных процессов в вакууме, газах, на поверхности раздела между твердыми телами и вакуумом или газом, в нем рассмотрены элементы, устройство и принципы работы различных электронных приборов. Предназначено для студентов, обучающихся по специальностям...
Методические указания к лабораторной работе по физике для студентов строительных специальностей. — Минск: БНТУ, 2011. — 26 с.
В работе описаны закономерности прохождения тока в вакууме, проанализировано влияние состояния поверхности металла на величину работы выхода электрона, изложен метод прямых Ричардсона, представлен вывод формулы Богуславского-Ленгмюра, изложены физические...
Методические указания к лабораторной работе по физике для студентов инженерно-технических специальностей. — Минск: БНТУ, 2012. — 22 с. В работе опиcaны закономерности прохождения тока в вакууме, проанализировано влияние состояния поверхности металла на величину работы выхода электрона, изложен метод прямых Ричардсона, представлен вывод формулы Богуславского-Ленгмюра, изложены...
Монография. В 4 кн. — Владим. гос. ун-т им. А. Г. и Н. Г. Столетовых. — Владимир : Изд-во ВлГУ, 2020. — 256 с. Приведены результаты экспериментов по регистрации акустических и электрических полей вблизи пламени метеотрона. Представлены результаты статистического анализа данных и моделирования водно-капельного потока. Предложен алгоритм взаимодействия горизонтальной пароводяной...
Монография. В 4 кн. — Владим. гос. ун-т им. А. Г. и Н. Г. Столетовых. — Владимир : Изд-во ВлГУ, 2020. — 208 с. Приведены хронологические сведения о создании и развитии на экспериментальном полигоне кафедры физики Владимирского политехнического института СССР установки метеотрон, данные опытов и наглядные результаты регистраций и анализа электрических и акустических полей в...
Учебное пособие. — Казань: КГЭУ, 2015. — 148 с. Рассмотрены физические основы, принципы действия и характеристики полупроводниковых приборов, усилителей, импульсных устройств и генераторов гармонических колебаний. Дана элементная база последовательностных и комбинационных схем и ее применение в различного рода устройствах. Пособие предназначено для студентов всех форм обучения...
Под ред. Е. А. Ладыгина. — М.: Советское Радио, 1980. — 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Введение Виды проникающей...
Под ред. Е. А. Ладыгина. — М.: Советское Радио, 1980. — 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Оглавление Введение Виды,...
М.; Л.: Госэнергоиздат, 1962. — 192 с. Книга содержит систематическое изложение основ теория устойчивости активных цепей, обоснование тех предпосылок, которые используются при определения устойчивости цепей с усилительными приборами новых типов, исследование условий их применимости. Подробно рассмотрены уравнения активных цепей, содержащих частотно-зависимые (управляемые...
Гомель: Гомельский государственный университет имени Ф. Скорины, 2002. — 126 с. Целью курса лекций является изложение основ физики твердого тела, рассмотрение физических принципов работы электронных приборов. Курс лекций предназначен для студентов, магистрантов, аспирантов, физических специальностей высших учебных заведений.
Учебное пособие для вузов. М., "Связь", 1973. -360 с. с ил.
Дана классификация электронных приборов, рассмотрены конструкции, физика работы и характеристика электронных ламп, полупроводниковых, электронно-лучевых, ионных и фотоэлектрических приборов. Рассмотрены вопросы миниатюризации, микроминиатюризации, надежности и дальнейшего усовершенствования электронных и...
СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
доц. Савиных В. Л.
Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.
301 кафедра МАИ, Горбачев Н.П., 2014. Архив с материалами по нескольким лабораторным работам. Исследование устройств на интегральном дифференциальном операционном усилителе. Исследование каскада УНЧ на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером. Статический преобразователь напряжения.
Слепнев А.В. Выпускная квалификационная работа бакалавра по направлению подготовки 44.03.04 Профессиональное обучение (по отраслям) профилю подготовки Энергетика профилизации «Компьютерные технологии автоматизации и управления». — Екатеринбург, РГППУ, 2017. — 67 с. Введение Анализ учебно-программной документации по дисциплине «Основы электроники» Анализ рабочей программы Анализ...
Методические указания. — Киров: ВятГУ. — 49 с. Транзисторные ключи. Усилители электрических сигналов. Основные источники учебно-методической и научно-технической информации.
Методические указания. — Киров: ВятГУ. — 13 с. Основные теоретические положения Методика расчета усилителя мощности Указания по оформлению расчетно-графической работы
Воронеж : Воронежский Государственный Аграрный Университет им. Императора Петра Первого, 2015. — 434 c. В учебном пособии изложены принципы действия и основные характеристики элементов электронной техники, принципы построения и расчёта электронных схем и возможности их практического применения в технических устройствах. Содержание пособия соответствует требованиям...
М.: Физматлит, 2008. — 488 с.
Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
М.: Физматлит, 2008. — 488 с. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
Статья. — Природа. Вып. 7. — М.: Наука, 2004. — С. 14-21. Эффект Вавилова—Черенкова как общее волновое явление. Синхронизм волны с движением частиц. Излучение в волноводных структурах. Когерентное черенковское излучение. Индуцированное черенковское излучение. Когерентное излучение взаимодействующих частиц.
Учебно-методическое пособие. — Ярославль: ЯрГУ, 2018. — 68 с. В пособии рассмотрена ретроспектива развития электроники и описаны принципы работы классических электронных приборов. Пособие включает разделы «Вакуумная электроника» и «Униполярные транзисторы». Предназначено для студентов, изучающих дисциплину «Физические основы электроники». Введение. Историческая справка:...
М.: Советское радио, 1975. — 288 с.
Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света....
Учебное пособие для вузов. - Киев : Издательство Киевского университета, 1964 г. - 209 с.
Учебное пособие содержит 100 задач и расчетов по физической электронике. Сборник ставит своей целью научить учащихся применять общие теоретические принципы к решению конкретных вопросов и задач.
Рассчитано на студентов физических и радиофизических факультетов вузов, а также практических...
К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2005 - 153 с.
Розглядаються питання, пов'язані з рухом заряджених частинок в електричних і магнітних полях у вакуумі, питання емісійної електроніки, елементарних процесів у газовому середовищі, фізики плазми та газового розряду. У кінці кожного розділу наведено контрольні запитання та задачі.
Для студентів фізичних і...
Курс лекций.
для студентов специальности 40 02 02.
«Электронные вычислительные средства».
Министерство образования Республики Беларусь.
Учреждение образования.
Минский государственный высший радиотехнический колледж.
Кафедра общетехнических дисциплин.
Содержание.
Электрофизические свойства полупроводников.
Контактные явления в полупроводниках.
Полупроводниковые диоды....
Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности.
Полупроводниковые диоды.
Принцип работы диода.
Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ).
Выпрямительные диоды.
Высокочастотные диоды....
ТПУ, Томск, Глазачев А.В., Петрович В.П., 2010 г., 128 стр.
Физические основы работы полупроводниковых приборов.
Полупроводниковые диоды.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Тиристоры.
Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.
Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.
Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова, Чебоксары, 2004, 56 стр.
Содержание:
Введение.
Основы теории электропроводности полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Токи в полупроводниках.
Контактные явления.
Разновидности p-n переходов.
Полупроводниковые диоды.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные...
ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы...
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника.
Метод расчета концентраций.
Условие электрической нейтральности.
Концентрация основных и неосновных носителей в примесных...
М.: "МИР", 1975. — 264 с. пер. на русский
Сборник задач с подробными решениями и комментариями по курсу физической электроники, соответствующему программам Лондонского университета и Института инженеров-электриков. Книга содержит около 100 отлично подобранных, хорошо продуманных, органически связанных между собой задач по следующим разделам: движение заряженных частиц в...
Збірник задач : навч. посібник [для студ. вищ. навч. закл.] — Львів : ЛНУ імені Івана Франка, 2019. — 166 с. Представлено основні теоретичні положення та формули із курсу мікроелектроніки, наведено приклади розв’язування ключових задач і задачі для самостійного розв’язування у відповідній послідовності. Для студентів вищих навчальних закладів фізичних та інженерних спеціальностей.
Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по специальностям "Многоканальные телекоммуникационные системы", "Радиосвязь, радиовещание и телевидение", "Средства связи с подвижными объектами", "Электромеханика"
Томск: Издательство Томского политехнического университета, 2012. — 95 с.
Учебное пособие по курсу "Электротехника, электроника". В учебном пособии рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых элементах; их основные характеристики и параметры; электронные устройства синтезированные на основе полупроводниковых элементов. Учебное пособие представляет собой...
Учебное пособие для вузов. - Воронеж: ВГУ, 2007.
В книге рассмотрены свойства ЭДП, физические принципы работы терморезисторов, фоторезисторов, фотодиодов и туннельных диодов
Под ред. А.Н. Выставкина. — Москва: Издательство иностранной литературы, 1963. — 352 с. В книге с единой точки зрения — теории связанных колебаний — рассмотрен широкий класс радиоэлектронных устройств, таких, как лампы бегущей и обратной волны, и близких к ним приборов, а также новых параметрических усилителей и генераторов на полупроводниковых диодах, ферритах и электронных...
М.: Изд-во иностранной литературы, 1963. — 352 с. В книге с единой точки зрения — теории связанных колебаний — рассмотрен широкий класс радиоэлектронных устройств, таких, как лампы бегущей и обратной волны, и близких к ним приборов, а также новых параметрических усилителей и генераторов на полупроводниковых диодах, ферритах и электронных пучках. Даются основные физические...
Методические указания к лабораторным работам для студентов специальностей «Электроэнергетика» и «Автоматизированный электропривод». — Могилев: БРУ, 2014. — 24 с В методических указаниях приводятся сведения по зонной теории твердых тел, описание установок и принцип их действия, излагается порядок выполнения лабораторных работ по изучаемому курсу. Лабораторные работы: Изучение...
В данном реферате представлена информация о магниторезистивном эффекте, пояснена сущность и модель магнетосопротивления. Также приведены основные характеристики вышеуказанного физического эффекта. В работе описаны материалы, которые применяются для изготовления приборов, использующих магниторезистивный эффект, устройство магниторезисторов, принцип их работы, их параметры,...
М.: Академия, 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы...
Учебник для вузов. — М.: Академия, 2008. — 400 с.: ил. — ISBN: 978-5-7695-4227-5. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации...
Екатеринбург: Изд. УГГУ, 2005.
Методические указания и расчетные задания по дисциплине Физические основы электроники для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП) направления 654500 "Электротехника, электромеханика и электро технологии". Методические указания устанавливают объем и порядок выполнения...
Екатеринбург: УГГУ, 2003. — 30 с. Учебно-методическое пособие к лабораторным занятиям и самостоятельной работе по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП).
Учебник. — Бишкек: Полиграфбумресурсы, 2010. — 252 с. — ISBN 987-9967-25-901-0. Рассмотрены физические основы современной электроники: теории электрических, магнитных, электромагнитных и оптических явлений; элементы зонной теории, различные физические эффекты и явления, жидкие кристаллы и оптические волокна, которые служат основой современных электронно-оптических приборов и...
Учебник для студентов технических вузов. — Бишкек: Полиграфбумресурсы, 2010. — 252 с. — ISBN 987-9967-25-901-0. В учебнике рассмотрены физические основы современной электроники: теории электрических, магнитных, электромагнитных и оптических явлений; элементы зонной теории, различные физические эффекты и явления, жидкие кристаллы и оптические волокна, которые служат основой...
УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника».
Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и...
М.: Советское радио, 1976. - 320 с.
Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности....
Учебное пособие для втузов. — В 9 книгах. — Под редакцией Л.А. Коледова. — Москва: Высшая школа, 1987. — 168 с.: ил. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. Предисловие редактора. Предисловие к книге 1. Введение. Основы физики...
Учебное пособие.
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с.
В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106...
Учебное пособие.
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с.
В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные...
Учебное пособие. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 100 с.
Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и по-левые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106...
Учебное пособие. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 90 с.
Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные свойства и...
Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. — Тамбов, 2007. Работа выполнена на кафедре «Автоматизированные системы и приборы» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет». Научный руководитель; Мищенко Сергей Владимирович. Цель работы заключается в разработке стационарного метода и устройства, обеспечивающих повышение точности...
Методические указания к лабораторным работам. — Томск: Изд-во ТПУ, 2003. — 15 с. Цель работы. Описание экспериментальной установки. Порядок выполнения работы. Контрольные вопросы. Рекомендуемая литература.
Учебное пособие. — Киев: НТУУ «КПИ», 2012. — 479 с. В учебном пособии рассмотрены современные и перспективные сверхбыстродействующие приборы электроники: полевые транзисторы с затвором Шоттки, гетеробиполярные транзисторы, транзисторы с высокой подвижностью электронов, мощные СВЧ транзисторы, резонансно-туннельные диоды и приборы, содержащие в активной области новые материалы...
Рабочая программа, контрольные задания и методические указания для студентов заочного отделения направления 210700 Инфокоммуникационные технологии и средства связи (квалификация "Бакалавр"). – Хабаровск: ДВГУПС. – 18 с.
Даны задания к контрольным работам №1 и 2 с методическими указаниями к их выполнению.
Методические указания к курсовой работе. – Хабаровск: ДВГУПС, 2006. – 36 с.
В методических указаниях рассматривается круг вопросов и задач, связывающих изучение физических процессов в твердотельных приборах с расчётами простейших электронных схем. Приведены примеры расчётов и варианты заданий.
Методические указания предназначены для студентов специальности "Автоматика,...
Учебное методическое пособие. — Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР), кафедра комплексной информационной безопасности электронно-вычислительных систем (КИБЭВС), 2002. — 122 с. Пособие содержит краткую рабочую программу дисциплины «Физические основы микроэлектроники», методические указания по изучению курса и выполнению контрольных работ....
Методические указания к выполнению лабораторных работ № 1-7 — СПб. : Изд-во ГУАП, 2008. — 60 с.
Содержится методические указания к выполнению лабораторных работ , посвященных изучению физических явлений и эффектов, используемых в приборах и устройствах электроники и микроэлектроники.
Предназначены для студентов всех специальностей при изучении дисциплин "Физические основы...
М.: Радио и связь, 1994. — 164 с.
Приведены результаты исследований по выявлению и изучению особенностей радиационного поведения КМОП интегральных схем. Дан анализ радиационных эффектов в базовых структурах ИС основных КМОП технологий при воздействии стационарных и импульсных ионизирующих излучений. Рассмотрены различные механизмы отказов.
Рекомендовано для специалистов в...
Сборник задач с методическими указаниями к их решению. — Екатеринбург : УрГУПС, 2016. — 92 с. Сборник задач предназначен для самостоятельной работы студентов специальностей 190901 – «Системы обеспечения движения поездов», 090900.62 – «Информационная безопасность», 220400.62 – «Управление в технических системах на железнодорожном транспорте» и может быть использован студентами всех...
Методические указания к выполнению лабораторных работ для студентов специальности 140604 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" . - Кемерово: КузГТУ, 2008. - 37 стр.
Курс лабораторных работ, проводимый на стенде " Основы Автоматики и Вычислительной Техники " (ОАВТ), предназначен для демонстрации работы простейших логических элементов и...
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN: 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и...
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN: 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и...
Учебное пособие. — Екатеринбург: УрФУ, 2011. — 105 с. — ISBN 978-5-321-01917-7. Предназначено для студентов специальности «Электронное машиностроение» изучающих курс «Физические основы электронной техники». Целью пособия является формирование у студентов теоретического представления об основных закономерностях и физических процессах, происходящих в полупроводниках и...
Определение эффективного времени жизни неосновных носителей тока в базе полупроводникового прибора по закону изменения «остаточной» ЭДС при включении прямого тока через диод;
Исследование температурной зависимости времени жизни.
Томский политехнический университет. 2013-2014 год. Для студентов технических специальностей. Кафедра ЭПЭО. Учебная дисциплина: «Физические основы электроники». 3 курс, 5 семестр. Газоразрядные приборы Полупроводниковые приборы. Фотоэлектронные приборы. Электронные выпрямители. Электронные усилители.
Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение...
Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа...
Лабораторный практикум. — В.П. Петрович, Н.А. Воронина, Л.А. Паюк, К.В. Образцов. — Томск: Томский политехнический университет, 2012. — 80 с. В практикуме содержится краткое описание физических процессов, протекающих в основных типах полупроводниковых приборов, применяемых в современных электронных системах. Описан порядок проведения экспериментов при исследовании конкретных схем,...
Учебное пособие. Томск: Изд. ТПУ. 2000. – 152 с.
Учебное пособие «Физические основы электроники» предназначено для студентов направления 55.13.00 «Электротехника, электромеханика и электротехнологии». Основные разделы курса посвящены изучению физических процессов в современных полупроводниковых приборах, причём, основной упор делается на изучение элементов силовой электроники,...
Мн.: Изд. центр БГУ., 2004 г., 531 стр., ISBN: 985-476-251-3 В монографии рассмотрены физические процессы, вызывающие нагрев кремниевых пластин в результате их облучения импульсами когерентного и некогерентного света. Приведены расчеты температурных полей и термических напряжений, возникающих в кремниевых пластинах при такой обработке, их влияние на параметры исходных...
Севастополь: Вебер, 2006. — 320 с.
Монография посвящена одному из новых, перспективных направлений полупроводниковой СВЧ-электроники – реконфигурируемым мультисенсорным информационно-управляющим системам для мониторинга параметров и контроля быстропротекающих технологических процессов и перемещения высокоскоростных объектов.
В монографии представлено обоснование выбора класса...
Учебное пособие. М.: Физический факультет МГУ, 2000 г. 164 стр., ISBN 5-211-04058-9
В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах.
Для...
М.: Физический факультет МГУ, 2000. — 164 с. В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и...
Новосибирск: НГТУ, 2008. — 24 с. Кристаллическая решетка. Колебания в одномерной цепочке с одинаковыми атомами и с атомами двух сортов. Теплоёмкость кристаллов. Электроны в металлах. Электроны в полупроводниках. Электрические свойства полупроводников, их связь с шириной запрещенной зоны и энергией активации примеси. Подвижность, дрейфовая скорость носителей заряда. Эффект...
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 1. 204 с. Книга 2 Изложены теоретические и практические основы принципа действия и работы наиболее часто применяемых в производственной и исследовательской практике методов и приборов, предназначенных для измерения теплофизических свойств веществ. Большое внимание уделено стационарным и нестационарным методам и приборам для...
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 2. 216 с. Книга 1 Во второй книге приведены сведения о разработанных в Тамбовском государственном техническом университете теплофизических методах и приборах: основанных на использовании временных и пространственных интегральных характеристик температур и тепловых потоков; предназначенных для измерения эффективных теплофизических...
Учебное пособие - Омск: Изд-во СибАДИ, 2004. - 167 с.
Аннотация:
Рассмотрены физические процессы, определяющие принципы построения и работы полупроводниковых, электровакуумных, газоразрядных, оптоэлектронных и квантовых приборов. Приведены основные характеристики и параметры диодов, транзисторов, тиристоров и других приборов, составляющих элементную базу устройств...
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2001, 116 с. Учебно-методическое пособие по курсу "Физические основы микроэлектроники» написано в полном соответствии с Программой Министерства образования РФ и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной аппаратуры. Его цель...
Тамбов: Тамбовский государственный технический университет, 2014. — 102 с.
Учебно-методическое пособие «Физические основы нано- и микроэлектроники» предназначено для студентов, обучающихся по направлению 140400.62 «Электроэнергетика и электротехника» учебной дисциплине «Информационные системы в электроэнергетике», учебной дисциплине «Материаловедение» направления 200300.62...
Для студентів спеціальності 06.503. - К.: КНУТД, 2004. - 110 с. В посібнику викладені теоретичні основи надвисокочастотних технологій, які побудовані на взаємодії електромагнітного поля з речовиною. Основна увага приділена виявленню функціональних зв'язків між фізичними і технологічними параметрами. Приведені приклади практичного застосування надвисокочастотних технологій у...
МГУЛ. Сообщение на тему "Пример волоконно-оптического датчика с фазовой модуляцией". 6 листов
1. Волоконно-оптические датчики
2. Пример волоконно-оптического датчика с фазовой модуляцией
3. Список литературы
Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидко-сти, а при соответствующих условиях и газы.
К твердым проводникам относят металлы, металлические сплавы и неко-торые модификации углерода.
Металлы – это пластичные вещества с характерным для них блеском, ко-торые хорошо проводят электрический ток и теплоту. Среди материалов элек-тронной техники металлы занимают...
Программа для расчета элементов ГИС. Руководство по использованию программы: Установка и запуск программы. Расчет тонкопленочных резисторов. Расчет переходных контактов. Расчет пленочных конденсаторов. Расчет теплового режима работы ИС. Литература. Программа, разработанная в данном дипломном проекте, соответствует требованиям современных операционных систем об использовании...
Навчальний посібник. — Івано-Франківськ : Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2010. — 80 с. Розглянуто основні питання на яких базуються теоретичні засади сучасної мікроелектроніки: статистика носіїв заряду в бездомішкових та легованих напівпровідникових матеріалах, електропровідність, гальваномагнітні ефекти, термоелектричні явища та фотопровідність...
Навчальний посібник. — Івано-Франківськ : Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2010. — 80 с. Розглянуто основні питання на яких базуються теоретичні засади сучасної мікроелектроніки: статистика носіїв заряду в бездомішкових та легованих напівпровідникових матеріалах, електропровідність, гальваномагнітні ефекти, термоелектричні явища та фотопровідність...
Учебное пособие для вузов. — Томск: Томский государственный университет, 2010. — 288 с.
В пособии изложены физико-технические основы электроники.
Предназначено для студентов, аспирантов, инженеров, научных работников специализирующие в области физической электроники, радиофизики.
Электроны в металлах и полупроводниках.
Введение твердотельную эмиссионную электронику.
ТЭЭ....
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук. — Екатеринбург, 2017. — 165 с. Научный руководитель: докт. физ.-мат. наук, проф. С.О. Чолах Научный консультант: канд. физ.-мат. наук, с. н. с. Р.В. Емлин Целью настоящей работы является исследование закономерностей высоковольтного пробоя...
Екатеринбург: Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина, 2018. — 116 с. — ISBN: 978-5-7996-2500-9. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника, аспирантов и научных работников. Кратко описаны существующие модели пробоя в кристаллах и жидкостях. Изложены результаты...
Светцов В.И. Иваново, Ивановский государственный химико-технологический университет, 2010, 28 с. Направление подготовки 240100 Химическая технология Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники Квалификация (степень) Бакалавр Форма обучения очная Цели освоения дисциплины Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата Компетенции...
Курсовая работа.
Содержание.
Введение.
Теоретическая часть:
Принцип действия усилителя.
Схема включения.
Практическая часть:
Схема.
Расчет элементов схем.
Выбор элементов схем.
Заключение.
Литература.
Читинский Государственный Университет.
Институт Технологических и Транспортных Систем.
Кафедра физики и техники связи.
В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.
Расчет однофазного двухполупериодного трансформатора. Основные характеристики выпрямителей. Выбор вентиля. Построение временных диаграмм и схемы выпрямления. расчет транзисторного усилителя. Транзисторы и их классификация. Выбор транзистора. Построение нагрузочной линии. Определение сопротивлений Rк и Rэ. Определение параметров входной цепи усилителя. Определение емкостей...
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить
h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы.
СибГути, АЭС, 2 Курс,...
Расчетная часть. Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке. Построить картины вектора E и D в трех областях. Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей....
Учебное пособие. — Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. — 158 с.
В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технология производства интегральных микросхем.
В учебном пособии приведен...
Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной...
Методические указания. — Томск: Томский политехнический университет, 2008. — 29 с. Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Физика пучков заряженных частиц» для магистрантов, обучающихся по магистерской программе 210102 - «Микроволновая электроника» направления 210100 - «Электроника и микроэлектроника». Введение. PIC-код, как метод исследования. Закон...
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с
Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов
Содержание.
Введение.
Основы теории электропроводности полупроводников.
Общие сведения о полупроводниках.
Полупроводники с собственной проводимостью.
Полупроводники с электронной...
М.: Радио и связь, 1988. — 184 с. В этой книжке рассказывается об ученых и изобретателях, в честь которых названы единицы физических величин, используемых в технике электросвязи. В популярной форме поясняется смысл единиц физических величин, используемых в технике электросвязи, приводятся примеры их применения, сообщаются краткие сведения об ученых и изобретателях, в честь...
Научно-методическое пособие. — Таганрог: Таганрогский технологический институт ЮФУ, 2011. — 44 с. Проводится методический разбор теорий, описывающих различные аспекты работы вакуумного диода. Указывается на их полную несостоятельность. Исследуются состояния газа невзаимодействующих между собой термоэлектронов, находящихся под градиентом температуры. На основе исследования...
Ивановский государственный химико-технологический университет. - Иваново, 2002. - 192 с. Рассмотрены физико-химические основы процессов корпускулярно-фотонных технологий, типовые установки, конкретные технологические процессы и примеры их реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям "Материалы и компоненты твердотельной электроники" и...
Воронеж: Воронежский государственный технический университет, 2014. — 288 с. В учебном пособии рассматриваются физические и микросистемные основы построения элементной базы приборов и устройств направлений развития функциональной электроники (акустоэлектроники, диэлектрической электроники, полупроводниковой электроники, магнетоэлектроники, молекулярной электроники,...
Читинский Государственный Университет.
Институт Технологических и Транспортных Систем.
Кафедра физики и техники связи.
Курсовая работа.
по физическим основам электроники:
Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода.
Вариант №12.
В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.
М.: Молодая гвардия, 1990. — 444 [4] с.: ил. — (Эврика). — ISBN: 5-93208-119-8. Занимательный рассказ об электроне, об электромагнитных полях и их взаимодействии, о людях, посвятивших свои жизни развитию электроники, и той роли, какую играет современная электроника в ускорении научно-технического прогресса. Пролог Электроны и электроника. Электроны и волны Вверх по шкале...
Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с.
Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов.
Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам...
Методическая разработка для студентов дневного отделения направления «Телекоммуникации». - Самара: ПГУТИ, кафедра электродинамики и антенн , 2010. - 38с. Содержание: Цели, задачи и методы изучения дисциплины Список рекомендованной литературы Методические рекомендации по изучению дисциплины Список теоретических вопросов для подготовки к зачету Виды тестовых вопросов для...
Учебное пособие. — Москва; Вологда: Инфра-Инженерия, 2021. — 231 с.: ил., табл., схем., граф. — ISBN 978-5-9729-0711-3. Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена...
Учебное пособие. — Москва; Вологда: Инфра-Инженерия, 2021. — 231 с.: ил., табл., схем., граф. — ISBN 978-5-9729-0711-3. Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена...
Учебное пособие. — Москва; Вологда: Инфра-Инженерия, 2021. — 231 с.: ил., табл., схем., граф. — ISBN 978-5-9729-0711-3. Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена...
СПб.: Лань, 2013. — 312 с. В книге изложены историческая справка становления и развития наноэлектроники, физические основы наноструктур и приборов наноэлектроники, физические и микросистемные основы построения элементной базы приборов и устройств направлений развития функциональной электроники (акустоэлектроники, диэлектрической электроники, полупроводниковой электроники,...
Учебное пособие. — 2-е изд., испр. — СПб.: Лань, 2013. — 560 с.: ил. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN: 978-5-8114-1369-0. В книге изложены: историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее...
Киев : Наук, думка, 1985.— 304 с. В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в...
М.: Мир, 1991. — 504 с. Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники,...
Ташкент: Изд-во ФАН Узбекской ССР, 1974. — 376 с. В первом разделе книги представлены работы в области физической электроники. Исследуются вопросы поверхностной ионизации, адсорбции, десорбции, вторичной ионной и электронной эмиссии и поверхностных реакций с тугоплавкими материалами. Во втором разделе приводятся экспериментальные результаты исследования физических и...
Львів: Видавничий центр ЛНУ ім. Івана Франка, 2009. — 261 с. У посібнику описана частина лабораторних робіт, наявних у навчальних лабораторіях кафедри фізичної та біомедичної електроніки Львівського національного університету імені Івана Франка. Практикум безпосередньо пов’язаний з нормативними курсами “Вакуумна і плазмова електроніка” або “Фізична електроніка”, які вивчаються...
Методические указания по выполнению лабораторных работ – СПб.: НМСУ «Горный», 2014. – 76 с.
В методических указаниях дано описание лабораторных работ по дисциплине «Физические основы электроники», читаемой студентам специальности 130400 «Горное дело» (специализация «Электрификация и автоматизация горного производства») и направления подготовки бакалавриата 140400...
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического университета, 2011. — 237 с. : ил., табл. — ISBN 978-5-7422-3268-1. Рассмотрено электронное строение молекул органических соединений и особенности сил межмолекулярного взаимодействия в органических молекулярных телах: органических молекулярных кристаллах, жидких...
Навчальний посібник - 3-тє вид., випр. та допов. — К.: Університет «Україна», 2008. — 256 с. ISBN 978-966-388-259-8. Зміст: Феноменологічна математична модель системи газ — напівпровідник Постановка задачі моделювання Формалізація задачі Система рівнянь матеріального балансу Фундаментальна система рівнянь масопереносу та переносу заряду в напівпровідниковому матеріалі Статика:...
Казань: Офсетная лаборатория КГУ, 1977. — 20 с. Описание к лабораторной работе "Исследование последовательного и параллельного контура". В теоретической части рассматриваются физические процессы и их математическим описанием, происходящих в последовательных и параллельных контурах. Описана лабораторная установка, позволяющая экспериментально ознакомиться с работой...
Название курса Материалы и элементы электронной техники, само говорит о предмете изучения – материалы и элементы электронной техники. Что такое материал, как понятие, как предмет изучения? Как взаимосвязаны такие понятия, как химический элемент, вещество, сырьё, изделие (компонент).
Методические указания. — Новокузнецк: СибГИУ, 2007. — 114 с.: ил.
Рассмотрены физические процессы в полупроводниковых транзисторах, дан анализ характеристик в статических и динамических режимах их работы.
Предназначены для студентов всех форм обучения специальности Электромеханика в горном производстве (140601).
2009 г.
Учебное пособие 101 стр, СПб Гос Университет информационных технологий, механики и оптики. содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных технологийи Управления по направлению "Проектирование и технология электронно-вычислительных...
Учебное пособие. — М.: МАДИ, 2015. — 188 с. — ISBN: 978-5-7962-0176-3.
Учебное пособие содержит сведения о физических свойствах и кристаллической решетке полупроводниковых материалов, о зонной теории, а также сведения о принципах создания и работы основных типов полупроводниковых приборов. Кратко изложена история изучения полупроводниковых материалов и этапы их практического...
Учебное пособие. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ), 2021. — 182 с. Учебное пособие содержит сведения о физических свойствах и кристаллической решётке полупроводниковых материалов, о зонной теории, а также сведения о принципах создания и работы основных типов полупроводниковых приборов. Кратко...
Учебное пособие. — М.: МАДИ, 2015. — 188 с.: ил. — ISBN: 978-5-7962-0176-3. Пособие содержит сведения о физических свойствах и кристаллической решетке полупроводниковых материалов, о зонной теории, а также сведения о принципах создания и работы основных типов полупроводниковых приборов. Кратко изложена история изучения полупроводниковых материалов и этапы их практического...
Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г.
В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых...
Издательство: НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", Институт компьютерных исследований-2009г. В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и квантовой статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твёрдотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых...
Учебное пособие - Красноярск: СФУ, 2007 - 468с. В учебном пособии изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа....
Красноярск : СФУ, 2011. — 336 с.
Изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Предназначено для студентов...
Выполнил: студент Шпаковский В.А. Преподаватель: Забелина И. А. Дисциплина - Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС.
Минск, Беларусск. гос. унив. информатики и радиоэлектроники, 2001, 20с.
Содержание:
Туннельный эффект.
Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники.
Контакт металл-металл.
Структура...
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники»
Включены следующие разделы:
Электрофизические свойства полупроводников
оптические свойства полупроводников
контактные явления
типовые технологические процессы.
Старый Оскол: СТИ НИТУ МИСиС, 2010. — 76 с.
Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Электроника», «Физические основы электроники», часть 1 для студентов специальностей: 220301 – Автоматизация технологических процессов и производств, 140604 – Электропривод и автоматика промышленных комплексов и установок, очной, заочной формы обучения.
Уральский государственный университет им. А. М. Горького Физический факультет Кафедра общей и молекулярной физики, 2008, с.103 Лабораторный практикум «Физическая электроника» состоит из шести лабораторных работ: Эмиссия с термокатода в вакууме. изучение трубки Перрина. Определение знака и оценка величины удельного заряда частиц. Изучение зависимости спонтанного газового разряда...
Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения...
Учебное пособие. — 2-е изд., испр. и доп. — М.: Советское радио, 1969. — 592 с. Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные...
Учебное пособие. – изд. 2, испр. и доп. – М.: Советское радио, 1969. – 592 с. Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные...
Шелохвостов В. П., Баршутин С. Н. -Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. Ч. 1. 32 с.
Представлены лабораторные работы по основным физико-химическим процессам в технологии электронных средств: элементы, компоненты и топология интегральных средств, влияние температуры на скорость химической реакции, электролиз, химическое травление, очистка подложек, окисление кремния....
Махачкала: ИПЦ ДГУ, 2008. — 414 с.
В сборнике содержатся материалы докладов, представленных на V Всероссийскую конференцию по физической электронике.
В первом разделе сборника собраны работы, доложенные на секциях по газовой электронике.
Во втором разделе сборника включены работы, доложенные на секции по твердотельной электронике.
Махачкала: ДГУ, 1999. — 134 с.
В сборнике содержатся материалы докладов, представленных на Всероссийскую конференцию Физическая электроника.
В первом разделе сборника собраны материалы обзорных докладов, доложенных на конференции.
Во втором разделе сборника собраны работы, доложенные на секциях по газовой электронике.
В третий раздел сборника включены работы по твердотельной...
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант
30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"
Построить выходную зависимость Iк от Vбк для кремниевого n-p-n транзистора в схеме с общей базой при Iэ=10 мА и T=300 K. Концентрация примеси: база 6.0Е+15 1/см3, эмиттер 3.0Е+14 1/см3, коллектор 6.5Е+14 1/см
3. Подвижность носителей заряда: n-1100 cм2/(Вс), р-300 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 0.200 мкс. Металлургическая ширина базы 2.0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера...
Курсовая работа по ФОМэ (физические основы микроэлектроники)
тема: Физические основы работы фоторезисторов
ВГТУ, Воронеж, 2012, 24стр.
Содержание
Введение
Фоторезисторы, их свойства и принцип работы
Технические параметры
Заключение
Список литературы
СПБГУАП,Санкт-Петербург, 2011 год, Нефедов В.Г. Исследование электрофизических свойств р-п перехода. Исследование эффекта Холла. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников.
Рабочая программа, метод. указ. и контр. задания для студентов спец. 140601 «Электромеханика» и 140604 «Электропривод и автоматизация промышленных установок и технологических комплексов» ИДО / Сост. А. С. Глазырин. - Томск: Изд. ТПУ, 2006.- 32 с. Рабочая программа, методические указания и контрольные задания по дисциплине «Физические основы электроники» предназначены для...
Рабочая программа для студентов специальностей для студентов специальности 140609 – Электрооборудование летательных аппаратов и 140610 – Электрооборудование и электрохозяйства предприятий, организаций и учреждений – Таганрог. Изд. ТГРУ, 2005. – 9с. Цель и задачи дисциплины. Содержание теоретического курса. Список литературы.
Порядок аттестации студентов специальностей 140601 «Электромеханика» и 140604 «Электропривод и автоматизация промышленных установок и технологических комплексов» ИДО ТПУ по учебной дисциплине «Физические основы электроники» рассмотрен и одобрен методическим семинаром кафедры Электропривод и электрооборудование. Дементьев Ю.Н. - Томск: Изд. ТПУ, 2006.- 6 с. Общие положения....
109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства...
Элементы зонной теории твёрдого тела.
Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа.
Понятие об энергетических уровнях и зонах.
Кристаллическая решетка.
Свойства полупроводников.
Собственный полупроводник.
Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике.
Функция распределения Ферми-Дирака.
Вероятность распределения электронов по энерг. уровням....
СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил.
Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств.
Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения.
- Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления...
План работы Введение I. Электрический расчет цифровой схемы: - оценить потенциалы в точках; - рассчитать все токи и указать их направления; - рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемые всей схемой. II. Разработка топологии ИМС: - выбор материала для пленочных резисторов; - расчет размеров для резисторов; - выбор материала для проводников и...
Учебник. — М.: Высшая школа, 1982. — 608 с. Рассмотрены: свойства основных элементарных частиц; закономерности классического движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях; основы квантовой механики, квантовой теории излучения, атомной и молекулярной спектроскопии, электронной теории твердого тела; физические основы эмиссионной электроники; электрические явления в...
РАУ, Ереван, Армения, 2015, 3 курс "Электроника и наноэлектроника". - 11 с. Функция плотности состояний при различных размерностях. Функция плотности состояний при разных законах дисперсии. Функция плотности состояний для двумерного электронного газа.
Учебное пособие. — Саратов.: СГТУ, 2010. — 220 с. Элементная база полупроводниковой электроники. Усилители и генераторы на транзисторах. Операционные усилители и аналоговые устройства на его основе. Работа полупроводниковых приборов в ключевом режиме. Импульсные устройства на операционном усилители. Источники вторичного электропитания электронных устройств. Цифровая техника.
Москва: Издательство иностранной литературы, 1950. — 195 с. Книга является переводом большого обзора из журнала "Ревьюс оф Модерн Физикс", посвященного подробному рассмотрению теории термоэлектронной эмиссии чистых металлов и сопоставлению теоретических результатов с экспериментальными данными. Изучение термоэлектронной эмиссии играет важную роль в разработке и применениях...
М.: Юрайт, 2022. — 204 с. Курс «Твердотельные сенсорные структуры на кремнии» посвящен изложению анализу фундаментальных и прикладных свойств гетероструктур с сенсорными свойствами, изготовленных из современных материалов c различными по характеру и масштабу пространственно-энергетическими неоднородностями, нанокристаллических, аморфных, пористых, (микро)гетерогенных и...
Методические рекомендации к лабораторным работам для студентов направления подготовки «Электроэнергетика и электротехника» дневной формы обучения. — Могилев: БРУ, 2018. — 38 с. В методических рекомендациях приводятся основы физики полупроводниковых приборов, описание лабораторных установок, рассматривается принцип их действия, излагается порядок выполнения лабораторных работ по...
Саратов: Саратовский государственный технический университет, 2016. — 458 с. В данной коллективной монографии описаны и обобщены текущие тенденции в разработке и исследовании приборов и устройств субтерагерцового и терагерцового диапазонов. Подготовка данного издания была выполнена в рамках проведения работ по гранту Российского научного фонда (проект № 14-12-00222). Для...
Учебно-методическое пособие. — Ростов-на-Дону: ЮФУ, 2008. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета Высоких технологий ЮФУ. В нем рассмотрены вопросы сегнетоэлектрической поляризации. Описано явление диэлектрического гистерезиса, как основного критерия сегнетоэлектричества. Изложены особенности исследования характеристик сегнетоматериалов по петлям...
Учебно-методическое пособие «Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты» предназначено для студентов, факультета Высоких технологий. В нем даны некоторые основные понятия физики сегнетоэлектричества. Описаны особенности электромеханических свойств сегнетоэлектриков. На основе литературных данных...
Учебное пособие. — Благовещенск: Дальневосточный государственный аграрный университет, 2019. — 85 с. Составлено в соответствии с государственным образовательным стандартом, учебным планом и рабочей программой дисциплины. Предназначены для студентов всех форм обучения по направлению подготовки «Электроэнергетика и электротехника». Введение. Методические указания по...
Учеб. пособие. — СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999. — 64 с. Содержит основные формулы, графики, энергетические диаграммы, схемы и рисунки структур основных полупроводниковых приборов, элементов и компонентов интегральных микросхем. Пособие является своеобразным приложением и добавлением нового материала к учебнику «Полупроводниковые приборы» (Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые...
Караганда: КарГУ, 2016. — 108 с. Учебное пособие посвящено изложению основ физической электроники. Основное внимание уделено рассмотрению контактных явлений в полупровод-никовых структурах, составляющих основу современных полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Описываются принципы работы и особенности полупроводниковых диодов различных типов. После каждого...
Учебное пособие. — Караганда: Карагандинский государственный университет (КарГУ), 2016. — 108 с. Учебное пособие посвящено изложению основ физической электроники. Основное внимание уделено рассмотрению контактных явлений в полупроводниковых структурах, составляющих основу современных полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Описываются принципы работы и...
М.: Атомиздат, 1972. — 148 с.
Появление атомной энергетики явилось стимулом развития новой отрасли физики твердого тела — физике радиационного повреждения и ее практическому применению — атомному материаловедению.
Многочисленные теоретические и экспериментальные работы в области радиационного материаловедения позволяют сделать вывод, что большинство процессов, протекающих в...
М.: Атомиздат, 1977. — 176 с.
Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на...
Оқу құралы. — Шымкент: Мирас университеті, 2015. — 129 б. Бұл оқу әдебиетінде жартылай өткізгішті құрылғылар, интегралдық схемалар мен оптоэлектрондық аспаптар, электрондық схемалар, үздікті негіздегі электрондық схемалар қарастырылған. Олардың физикалық құрылымы, құрылысы, қолдануы көрсетілген. Сондай-ақ электроника негіздері оқу әдебиетінде мемлекеттік стандартта берілген...
Перевод с англ. — Под ред. Ю. В. Гуляева. — М.: Советское радио, 1979. — 232 с. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области...
Перевод с англ. — Под ред. Ю.В. Гуляева — М.: Советское радио, 1979. — 232 с. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области...
Перевод с немецкого. — М.: Энергия, 1977. — 608 с. Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение...
Москва: Энергия, 1977. – 608 с. Книга представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области...
М.:«ЕНЕРГІЯ», 1972. - 183 с.
Переклад: Бучинський В. , Дубчак І. і Кайда Н.
Излагаются современные достижения физической электроники, охватывающее как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших экспериментально установленных фактов, на которых это изложение основывается, так иприложение важнейших физических идей, выдвинутых в...
Преподаватель - Сафинов Ш. С. Шпоры сделаны по лекциям. То есть - сканы, редактирование, размещение. Все в формате JPG. Есть вариант который резать, есть полно-размерные картинки, рассованные в папки. Вопросы: Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимоств. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы....
УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры....
Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы...
Резисторы. Классификация. Основные параметры постоянных резисторов. Частотные свойства резисторов. Собственные шумы резисторов. Особенности работы резисторы в импульсивных режимах. Резисторы общего назначения Резисторы интегральных схем. Резисторы постоянные проволочные. Металлофольговые резисторы. Переменные резисторы. Конструкции переменных резисторов, их особенности....
Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина...
Монография, Ленинград:. Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1977 г.
Книга посвящена вторично-эмиссионным методам исследования поверхностных и объемных свойств твердого тела. В основе этих методов лежат разнообразные физические явления, наблюдаемые при взаимодействии с твердым телом электронов малых и средних энергий (от 1 эВ до 100 кэВ). В книге...
Лекции по электронике, МИСиС, Россия, Еременко Ю.И., 2004 г., 9 стр.
Постоянный электрический ток .
Электрические цепи, элементы электрических цепей.
Электрический ток, его характеристики.
Закон Ома.
Соединение резисторов в электрической цепи.
Элементы конфигурации электрических цепей .
Узел.
Ветвь.
Контур.
Закон Кирхгофа.
Второй закон Кирхгофа.
Цепи переменного...
Автор неизвестен. 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе...
Диссертация... доктора технических наук : 01.04.20. — Санкт-Петербург, 2002. — 338 с. Цель работы: разработка и реализация методов формирования на основе ВЭЭ, а также вакуумного дугового разряда и разряда по поверхности диэлектрика интенсивных электронных и ионных пучков микросекундной длительности, обладающих стабильными и управляемыми параметрами. Поиск и реализация...
Методические указания. — Ухта: УГТУ, 2013. — 23 с., ил. З.Х. Ягубов, Л.П. Бойченко, И.А. Дементьев, П.С. Шичёв. Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине «Физические основы электроники» для бакалавров-заочников II курса по направлению «Электроэнергетика и электротехника» (140400). В методических указаниях даётся...
Ухта: УГТУ, 2005. — 99 с.: ил. — ISBN: 5-88179-387-0. Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 – «Электротехника, электромеханика и электротехнологии», а также может быть рекомендовано студентам специальностей: 220200 (АИС), 071900 (ИСБ),...
Учебное пособие. - Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил.- ISBN 5-88179-387-0
Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».
Ухта: УГТУ, 2001. - 22 с., ил.
Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов II курса ФБО "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов". В методических указаниях даётся задание на выполнение контрольных работ, и формулируются требования к...
Комментарии