Физические основы электроники (ФОЭ)

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных...

Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности. Полупроводниковые диоды. Принцип работы диода. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ). Выпрямительные диоды. Высокочастотные диоды....

109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства...

Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы...

Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение...

Курс лекций. — Пермь: Пермский государственный технический университет, 2000. — 130 c. Курс лекций предназначен для студентов специальностей "Автоматизация техноло-гических процессов", "Электронная вычислительная техника". Развитие электроники Основные свойства электронных приборов Физические основы проводимости полупроводников Количественные соотношения в физике полупроводников...

Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.

Курс лекций. для студентов специальности 40 02 02. «Электронные вычислительные средства». Министерство образования Республики Беларусь. Учреждение образования. Минский государственный высший радиотехнический колледж. Кафедра общетехнических дисциплин. Содержание. Электрофизические свойства полупроводников. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды....

Резисторы. Классификация. Основные параметры постоянных резисторов. Частотные свойства резисторов. Собственные шумы резисторов. Особенности работы резисторы в импульсивных режимах. Резисторы общего назначения Резисторы интегральных схем. Резисторы постоянные проволочные. Металлофольговые резисторы. Переменные резисторы. Конструкции переменных резисторов, их особенности....

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной...

ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы...

Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина...

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.

ТУСУР, 3 курс, ФДО, Лабораторная работа № 1. Работа содержит в себе полный отчет по лабораторной работе с теоретической и практической частями,графиком, выводом и ответами на контрольные вопросы. Зачтена. Замечания: в графике на зависимостях отсутствуют точки, соответствующие экспериментальным данным и отображение обратного тока.

Лабораторная работа по физическим основам электроники- Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год

Расчет однофазного двухполупериодного трансформатора. Основные характеристики выпрямителей. Выбор вентиля. Построение временных диаграмм и схемы выпрямления. расчет транзисторного усилителя. Транзисторы и их классификация. Выбор транзистора. Построение нагрузочной линии. Определение сопротивлений Rк и Rэ. Определение параметров входной цепи усилителя. Определение емкостей...

Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с. Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов. Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам...

Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов.; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных...

Курсовая работа. Содержание. Введение. Теоретическая часть: Принцип действия усилителя. Схема включения. Практическая часть: Схема. Расчет элементов схем. Выбор элементов схем. Заключение. Литература.

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это: Биполярный транзистор – это: Тиристор – это: Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать все варианты): Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все варианты): Вакуумный диод – это: Вакуумный триод – это: Схемы включения...

Электронные ключи на биполярных транзисторах.

Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные...

Лабораторный практикум. — Омск: Изд-во ОмГУ, 2005. — 175 с. — ISBN 5-7779-0543-9. Рассматриваются физические принципы работы полупроводниковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключательных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабораторных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Учебное пособие. — Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. — 158 с. В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технология производства интегральных микросхем. В учебном пособии приведен...

Учебное пособие. – Йошкар-Ола: Марийский государственный технический университет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической физики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, необходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов....

Здесь почти вся теория, которую Шарфштейн А.Х. требует для защиты лабораторок.Нет перехода Шотки.

Вопросы к экзамену по курсу «Физические основы электроника» (для специальностей ЭМ и ЭЛА)

Лабораторная работа №2, Кафедра электроники, Екатеринбург, 2006, 4 с. Название вуза, ФИО преподавателя, вариант не указаны. Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).

По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы. СибГути, АЭС, 2 Курс,...

Две самостоятельные работы студента (СРС) по дисциплине "Физические основы электроники". В виде рефератов.

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106...

Доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2),...

Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидко-сти, а при соответствующих условиях и газы. К твердым проводникам относят металлы, металлические сплавы и неко-торые модификации углерода. Металлы – это пластичные вещества с характерным для них блеском, ко-торые хорошо проводят электрический ток и теплоту. Среди материалов элек-тронной техники металлы занимают...

Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Название курса Материалы и элементы электронной техники, само говорит о предмете изучения – материалы и элементы электронной техники. Что такое материал, как понятие, как предмет изучения? Как взаимосвязаны такие понятия, как химический элемент, вещество, сырьё, изделие (компонент).

ТУСУР, 3 курс, ФДО, Лабораторная работа №2. Работа содержит в себе полный отчет по лабораторной работе с теоретической и практической частями,графиком, выводом и ответами на контрольные вопросы. Зачтена. Замечания: на осциллограммах необходимо добавить разметку осей.

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 80 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители, цифровые интегральные микросхемы, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных устройств. Предназначено для...

Основные понятия и законы квантовой и оптической электроники Очень полезные материалы для сдачи курсовых работ, зачетов и экзаменов.

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

В данном реферате представлена информация о магниторезистивном эффекте, пояснена сущность и модель магнетосопротивления. Также приведены основные характеристики вышеуказанного физического эффекта. В работе описаны материалы, которые применяются для изготовления приборов, использующих магниторезистивный эффект, устройство магниторезисторов, принцип их работы, их параметры,...

Расчёт функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе».

Методические указания к лабораторным работам. — Изд. второе пер. и доп. — СПб: Балтийский государственный технический университет им. Д.Ф. Устинова (БГТУ) "Военмех", 2000. — 25 с.: ил. Исследование электрических свойств проводниковых материалов. Исследование свойств терморезисторов. Исследование свойств варисторов. Исследование свойств фоторезисторов. Исследование свойств...

ЧГУ, Чебоксары, 2004, 61 стр. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Токи в полупроводниках. Контактные явления. Разновидности p-n переходов. Полупроводниковые диоды. Классификация. Выпрямительные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Универсальные и импульсные диоды. Варикапы. Биполярные транзисторы. Принцип...

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. — Тамбов, 2007. Работа выполнена на кафедре «Автоматизированные системы и приборы» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический университет». Научный руководитель; Мищенко Сергей Владимирович. Цель работы заключается в разработке стационарного метода и устройства, обеспечивающих повышение точности...

Расчетная часть. Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке. Построить картины вектора E и D в трех областях. Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей....

Расчетно-графические работы по ФОЭ. Дана заряженная сфера. 3 варианта, с разными исходными данными. Сдаются обычно вместе с СРС.

Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова, Чебоксары, 2004, 56 стр. Содержание: Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Токи в полупроводниках. Контактные явления. Разновидности p-n переходов. Полупроводниковые диоды. Классификация. Выпрямительные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Универсальные...

Методические указания к курсовой работе. – Хабаровск: ДВГУПС, 2006. – 36 с. В методических указаниях рассматривается круг вопросов и задач, связывающих изучение физических процессов в твердотельных приборах с расчётами простейших электронных схем. Приведены примеры расчётов и варианты заданий. Методические указания предназначены для студентов специальности "Автоматика,...

Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа...

Электронно-дырочный переход. График электронно-дырочного перехода. Определения.

Учебное пособие. - Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил.- ISBN 5-88179-387-0 Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».

Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Светцов В.И. Иваново, Ивановский государственный химико-технологический университет, 2010, 28 с. Направление подготовки 240100 Химическая технология Профиль подготовки Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники Квалификация (степень) Бакалавр Форма обучения очная Цели освоения дисциплины Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата Компетенции...

Методические указания. — Новокузнецк: СибГИУ, 2007. — 114 с.: ил. Рассмотрены физические процессы в полупроводниковых транзисторах, дан анализ характеристик в статических и динамических режимах их работы. Предназначены для студентов всех форм обучения специальности Электромеханика в горном производстве (140601).

План работы Введение I. Электрический расчет цифровой схемы: - оценить потенциалы в точках; - рассчитать все токи и указать их направления; - рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемые всей схемой. II. Разработка топологии ИМС: - выбор материала для пленочных резисторов; - расчет размеров для резисторов; - выбор материала для проводников и...

Содержатся экзаменационные билеты, которые предлагаются студентам специальности 140604 ЭАПУ, УрФУ, на экзамене по соответствующей дисциплине.

Казань, 2009. — 114 с. Даны общие указания по выполнению работ, представлены краткие теоретические сведения по каждой теме, вопросы для допуска к работе, контрольные вопросы. Лабораторные работы: Изучение лабораторного стенда «Промэлектроника – 2». Исследование полупроводниковых приборов. Исследование биполярного транзистора. Исследование полевого транзистора с управляющим p-n...

БГТУ им Шухова, 4 курс, Кафедра Электротехники.

В работе представлена теоретическая часть о p-n переходе, расчет протяженности перехода, а также краткий реферат о фотолитографии.

Курсовая работа по ФОМэ (физические основы микроэлектроники) тема: Физические основы работы фоторезисторов ВГТУ, Воронеж, 2012, 24стр. Содержание Введение Фоторезисторы, их свойства и принцип работы Технические параметры Заключение Список литературы

Определение эффективного времени жизни неосновных носителей тока в базе полупроводникового прибора по закону изменения «остаточной» ЭДС при включении прямого тока через диод; Исследование температурной зависимости времени жизни.

Учебно-методическое пособие. — Ростов-на-Дону: ЮФУ, 2008. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета Высоких технологий ЮФУ. В нем рассмотрены вопросы сегнетоэлектрической поляризации. Описано явление диэлектрического гистерезиса, как основного критерия сегнетоэлектричества. Изложены особенности исследования характеристик сегнетоматериалов по петлям...

Учебно-методическое пособие «Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты» предназначено для студентов, факультета Высоких технологий. В нем даны некоторые основные понятия физики сегнетоэлектричества. Описаны особенности электромеханических свойств сегнетоэлектриков. На основе литературных данных...

Цель работы: Изучить законы Кирхгофа. Рассмотреть последовательное, параллельное и смешанное соединение токоприемников, исследовать распределение токов, напряжений и мощностей в каждой цепи. 1) Последовательное соединение приемников. 1) Параллельное соединение приемников. 2) Смешанное соединение приемников.

Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.

Выполнил: студент Шпаковский В.А. Преподаватель: Забелина И. А. Дисциплина - Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС. Минск, Беларусск. гос. унив. информатики и радиоэлектроники, 2001, 20с. Содержание: Туннельный эффект. Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники. Контакт металл-металл. Структура...

СПБГУАП,Санкт-Петербург, 2011 год, Нефедов В.Г. Исследование электрофизических свойств р-п перехода. Исследование эффекта Холла. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников.

ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

НИУ ИТМО, Санкт-Петербург, 2012 год, 5 страниц, преп. Мамыкин Александр Иванович Теория по эффекту Холла. Порядок выполнения лабораторной работы (формулы). Характеристики образца Si(кремний). Методика измерений. Результаты. Контрольные вопросы.

Новосибирск : СибГУТИ, 2007. — 89 с. Микроэлектроника – область электроники, объединяющая комплекс физических, радиотехнических и технологических проблем, направленных на создание сложных электронных схем для обработки и передачи информации, выполненных интегрально на едином основании, заключенном в корпус. Фактически микросхемы создаются на отдельном кристалле – чипе, как...

Контрольная работа по ФОЭ. СПГГИ (ТУ), сост. Стороженко С.В. Задача 1. Данные стабилитрона: Uст = 6,8В. Icт(мин)=3мА. Icт(макс)=0,6 мА. Найти Rб, если Uвх от до ; Rн = 2,7кОм. Определить будет ли обеспечена стабилизация напряжения во всем диапазоне изменения Uвх. Задача 2. Рассчитать параметры навесных элементов многовходного сумматора – вычитателя, построенного на ОУ, выходное...

Для студентів спеціальності 06.503. - К.: КНУТД, 2004. - 110 с. В посібнику викладені теоретичні основи надвисокочастотних технологій, які побудовані на взаємодії електромагнітного поля з речовиною. Основна увага приділена виявленню функціональних зв'язків між фізичними і технологічними параметрами. Приведені приклади практичного застосування надвисокочастотних технологій у...

МГОУ. Вакуумная и плазменная электроника. Иванов В. В. Две оформленные лабораторные работы с расчетами, графиками, схемами и выводами. Зачет.

МГУЛ. Сообщение на тему "Пример волоконно-оптического датчика с фазовой модуляцией". 6 листов 1. Волоконно-оптические датчики 2. Пример волоконно-оптического датчика с фазовой модуляцией 3. Список литературы

НИУ ИТМО, Санкт-Петербург, 2012 год, 3 страницы, преп. Дмитриев А.Л. Теория. Диод Ганна. Применение. Ссылки на источники.

309 кафедра МАИ, препод - Фаворский К.Г., 7 с. ВАХ диодов. ВАХ при повышенной температуре. Определение значений прямого напряжения, статического и дифференциального сопротивлений. Определение значения температурного коэффициента напряжения. ВАХ стабилитронов. Определение значений напряжения стабилизации. Зависимость среднего выпрямленного тока от частоты. Изображения...

Построить выходную зависимость Iк от Vбк для кремниевого n-p-n транзистора в схеме с общей базой при Iэ=10 мА и T=300 K. Концентрация примеси: база 6.0Е+15 1/см3, эмиттер 3.0Е+14 1/см3, коллектор 6.5Е+14 1/см 3. Подвижность носителей заряда: n-1100 cм2/(Вс), р-300 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 0.200 мкс. Металлургическая ширина базы 2.0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера...

Учебная практика: Методические указания. – Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2011.-48 с. Приложения Положение о учебной практике Программа практики Банк индивидуальных заданий для учебной практики Методические указания по проведению учебной практики Цели и задачи учебной практики

Лабораторний практикум для студентів III курсу фізичного факультету. - Запоріжжя: ЗНУ, 2008 Практикум містить теоретичні положення, основні поняття, мету та етапи дослідження, рекомендації по проведенню лабораторних робіт та обробці результатів досліджень, контрольні питання.Призначений для студентів III курсу фізичного факультету спеціальностей Фізика, Прикладна фізика денного...

Владивосток: ME-BOOK, 2024 г. — 345 стр., Сегодня, в 2024-м году, радиоэлектроника нуждается в создании точных математических моделей вольт- амперных характеристик электронных приборов. В данной книге была предпринята попытка решить задачи точного математического моделирования вольт-амперных характеристик с применением ТФА – теории физических аналогий. Семейства вольт-амперных...

301 кафедра МАИ, Горбачев Н.П., 2014. Архив с материалами по нескольким лабораторным работам. Исследование устройств на интегральном дифференциальном операционном усилителе. Исследование каскада УНЧ на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером. Статический преобразователь напряжения.

Караганда: КарГУ, 2016. — 108 с. Учебное пособие посвящено изложению основ физической электроники. Основное внимание уделено рассмотрению контактных явлений в полупровод-никовых структурах, составляющих основу современных полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Описываются принципы работы и особенности полупроводниковых диодов различных типов. После каждого...

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.04 – физическая электроника. — Институте прикладной физики Российской академии наук. — Нижний Новгород, 2011. — 37 с. Целью диссертационной работы является разработка и исследование физических принципов создания мультимегаваттных источников сверхвысокочастотного излучения...

МГУЛ 2012. Курсовая работа на тему вращающиеся трансформаторы. 10 печатных листов. 1. Физические основы, конструкция и применение вращающихся трансформаторов 2. Пример контактного вращающегося трансформатора 3. Заключение 4. Список литературы

Навчальний посібник. — Івано-Франківськ : Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2010. — 80 с. Розглянуто основні питання на яких базуються теоретичні засади сучасної мікроелектроніки: статистика носіїв заряду в бездомішкових та легованих напівпровідникових матеріалах, електропровідність, гальваномагнітні ефекти, термоелектричні явища та фотопровідність...

РАУ, Ереван, Армения, 2015, 3 курс "Электроника и наноэлектроника". - 11 с. Функция плотности состояний при различных размерностях. Функция плотности состояний при разных законах дисперсии. Функция плотности состояний для двумерного электронного газа.