Транзистор, полупроводниковый триод - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.
Department of Weapons Training Lowry Air Force Base Colorado, 1960-1961. — 457 p. Introduction to Semiconductor Devices and transistor theory from legendary Bob Widlar. Introduction to Semiconductor Devices Conduction in Solids The PN Junction The Junction Transistor The Fabrication of Diodes and Transistors Transistor Circuits
Справочник. — М.: Радио и связь, 1985. — 560 с. Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.
Производственное издание 1988 года. 262 стр. Каталог предназначен для выбора необходимых потребителю приборов, выпускаемых предприятием. В каталоге приводятся сведения о важнейших свойствах кремниевых транзисторов. Кратко описано основное их назначение, даны габаритные размеры, параметры и характеристики, рекомендации по монтажу. Каталог имеет 4 раздела, в каждом из которых...
Справочник. — М.: Радио и связь, 1989. — 386 с. Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах,...
Санкт-Петербург: БХВ-Петербург, 2002. — 240 с.: ил. — ISBN 5-94157-100-3. Последовательно и доступно изложена система понятий, без которой невозможно осмысленное изучение транзисторных цепей. Описаны трудности, возникающие при изучении электроники, и достижения тех гуманитарных наук, знание и применение которых способствуют их преодолению. Приведены рекомендации по выполнению...
Москва.
Связь.
1971.
243 с.
Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на...
М., Мир, 1992 г. 565 стр. В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал...
М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.: ил. — ISBN: 5-256-00136-1. Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и...
М., Советское радио, 208 с., 1973. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов - лавинных транзисторов.
М.: СОЛОН-Пресс, 2008. — 240 с. — (Компоненты и технологии). — ISBN: 978-5-91359-004-6.
Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ОПТ,...
Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных...
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Радио и связь, 1984. — 216 с. Рассмотрены особенности характеристик и применения основных типов отечественных полевых транзисторов практически во всех возможных режимах работы. Приведены методики расчета узлов аппаратуры выполненных на полевых транзисторах. По сравнению с первым изданием (1979 г. ) расширен материал по...
Москва: Связь, 1979. — 192 с.: ил. В книге рассмотрены вопросы теории и применения полевых транзисторов, работающих в режиме управляемого сопротивления, управляемой крутизны, усиления, ключа, в режиме с прямыми токами затвора и комбинированном режиме. Приведены результаты исследования свойств более десяти типов отечественных полевых транзисторов. Рассмотрены особенности...
М.: Советское радио, 1978. — 136 с. с ил. Книга содержит сведения о физических процессах в транзисторах и особенностях их использования в микрорежимах в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме. Показаны возможности и методы построения микромощных...
Под ред. Я.А. Федотова. — М.: Советское радио, 1973. — 336 с. Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планарных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обусловливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Описаны особенности переходных процессов и...
Издание 2-е, исправленное Москва: Техносфера, 2011. - 800 с., ISBN: 978-5-94836-289-2 В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ...
Перевод с немецкого В.Н. Белоусова, Л.Н. Кореневского, В.С. Фролова. — Москва; Ленинград: Энергия, 1964. — 384 с. В книге изложены основные принципы построения и расчета наиболее распространенных схем, выполняемых на транзисторах. Большое внимание уделено как общим вопросам конструирования схем, так и вопросам применения транзисторов в различных областях радиотехники, телевидения,...
Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.
Перевод с немецкого В. С. Заседа.
Под редакцией И. А. Палекова.
Москва. Издательство "Советское Радио" - 1973 год. 505 страниц.
Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. Большое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная...
РадиоСофт,1998г. ,832с. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные свойства иностранных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов указаны в русском стереотипе, с указанием допусков по достоверным сведениям компаний производителей. В справочнике наличествуют помимо прочего иностранные аналоги транзисторов (при этом...
РадиоСофт,1998г. ,896с. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики иностранных сильных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов с предельными отклонениями указаны в русском стереотипе. В справочнике помещены ассортимент фирм-изготовителей и перечень иностранных аналогов выпускающихся и снятых с производства...
Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1993. - 224с.
В данном пособии приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и...
Вильнюс: Мокслас, 1985. — 112 с. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга...
Авторы в издании не указаны. — Перевод с английского К.Г. Меркулова, В.М. Придорогина, Э.И. Рувиновой. — Москва: Энергия, 1969. — 590 с. Редакторы оригинального издания: Joseph A. Walston, John R. Miller. Книга посвящена вопросам инженерного расчета и конструирования схем на транзисторах. Изложены наиболее важные элементы теории транзисторов. Значительный раздел посвящен...
М.:Энегрия, 1969. В книге изложены вопросы, связанные с работой и конструированием бестрансформаторных транзисторных усилителей низкой частоты. Приведены примеры расчета.
Киев: Техника, 1969. — 300 с. Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя p-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых...
2-е, испр. и доп. — Киев: Техника, 1975. — 260 с. Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные...
Москва: Советское радио, 1964. — 304 с. Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших...
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Энергия, 1967. — 615 с. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу указанных схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниках, полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве...
Перевод с польского — Под ред. Ю. А. Каменецкого. — М.: Советское радио, 1976. — 288 с. Рассмотрены общие принципы и методы измерений различных параметров транзисторов; описаны измерения транзисторов в диапазоне от очень низких частот до СВЧ, а также измерения импульсных параметров транзисторов как в лабораторных, так и в производственных условиях. Ряд разделов посвящен...
М:, Связь, 1967, -64с.
В брошюре рассматриваются причины возникновения флуктуации в транзисторах. На примере каскадного включения их поясняются пути и средства проектирования малошумящих электрических цепей, в частности, групповых усилителей сигналов связи. Излагается метод определения шумовых параметров транзисторов, основывающийся на измерении экстремальных значений...
1992 г.
Приведены справочные данные по мощным полевым транзисторам (ПТ) и схемы управления ПТ (в том числе интегральные модули), рассмотрены электронные устройства на основе ПТ, определены методы и схемы защиты ПТ. Основное содержание каталога составляют материалы фирм "Motorola" и "Mitsubishi"
2-е изд., дополненное. — Москва: Связь, 1968. — 249 с. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению к первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга...
М.: «Советское радио», 1960. — 431 с.
Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов — германия и кремния — и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления...
Монография. — М.: Мир, 1965. — 430 с. Монография посвящена описанию полупроводниковых переключательных схем, широко используемых в современной счетно-решающей технике для обработки информации, распределения управляющих сигналов, производства вычислительных операций, а также для преобразования непрерывных величин в дискретные. Автором рассмотрено большое количество транзисторных...
2-е изд., доп. — М.: Связь, 1968. — 186 с. Излагаются общие сведения о транзисторных усилителях, рассматриваются цепи их питания, выбор блок-схемы и принципиальной схемы, расчет каскадов мощного и предварительного усилителей, обратная связь, регуляторы усиления и тембра, требования к источникам питания и основы конструкции усилителей. Приводятся примеры расчета и необходимые...
М.: Энергия, 1980. — 141 с.
Книга содержит в табличной форме сведения об основных электрических параметрах транзисторов отечественного производства.
Приведены габаритные чертежи и цоколевка приборов.
Книга предназначена для широкого круга читателей.
К.: Вища школа, 1989. – 91 с. Рассмотрены квантовые процессы, обусловленные протеканием стационарного электрического тока через 2-мерную систему на поверхности полупроводника. Разработанная микроскопическая теория замкнутых 2-мерных объектов позволяет объяснить недавно обнаруженные явления квантового эффекта Холла и квантового эффекта поля.
Комментарии