Москва: Техносфера, 2011. — 416 с. В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетераструктурах типа AlGaN/GaN и СВЧ устройств на их основе. Подробно описаны свойства широкозонных полупроводников, методы их получения и исследования, а также способы создания гетероструктур на различных...
Севастополь: Вебер, 2006. — 319 с.
Диоды Ганна .
Принципы действия; основные соотношения.
Особенности работы диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн.
Методика инженерного расчета диодов Ганна.
Лавинно-пролетные диоды .
Математическая модель ЛПД.
Энергетические и импедансные характеристики ЛПД.
Аппроксимация импедансных характеристик ЛПД - инженерные методы...
М.: Советское радио, 1969. — 580 с.
В книге приводятся основы теории и методы проектирования устройств на полупроводниковых диодах в диапазоне сверхвысоких частот. Анализируются схемы усилителей и генераторов на туннельных диодах, смесителей и преобразователей частоты на туннельных и на обращенных диодах, параметрических усилителей. Рассматриваются схемы переключателей,...
2nd edition. — Newnes, 2001. — 320 p.
Radio Frequency Transistors: Principles and Practical Applications is a complete tool kit for successful RF circuit design. As cellular and satellite communications fields continue to expand, the need for RF circuit design grows. Radio Frequency Transistors contains a wealth of practical design information based on years of experience from...
Рассмотрены физические основы работы биполярных транзисторов и тиристоров. Приведены основные параметры, характеристики и описаны особенности применения электронных приборов.
Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.
Учебное пособие. — Х.: Нац. аэрокосм. ун-т им. Н.Е. Жуковского "Харьк. авиац. ин-т", 2002. — 88 с. Рассмотрены физические основы работы различных полупроводниковых диодов. Приведены основные параметры, характеристики и примеры применения приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.
Rudolph M., Fager C., Root D.E. Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques, Cambridge University Press, – 2012, – 352 p. ISBN 978-0-521-76210-6 Книга посвящена проблемам построения нелинейных моделей транзисторов для твердотельных СВЧ интегральных схем на основе GaAs и GaN. Будет интересна всем тем, кто занимается моделированием и разработкой СВЧ устройств на...
Пенза: ПГУ, 2011. - 166 с.
Рассмотрена теория гальваномагнитных эффектов. Рассмотрены приборы и устройства, использующие эти эффекты и их свойства. Описана методика изготовления кристаллических и плёночных датчиков Холла и магниторезисторов. Разработаны измерители плотности потока мощности СВЧ диапазона, дозиметр СВЧ излучения, поляриметр. Рассмотрены вопросы взаимного влияния...
М.: Советское радио, 1970 г. — 200 с.
В книге рассматриваются физические свойства p-i-n диодов, проводится анализ и расчет широкополосных электрически управляемых аттенюаторов и модуляторов, дается обзор основных применений широкополосных устройств СВЧ на p-i-n диодах. Внимание уделено нестационарным процессам, амплитудно- и фазо-частотным характеристикам устройств на p-i-n...
А.М. Абдуллаев, Х.К. Арипов, А.М. Афанасьева, Г.Н. Кузьмина. — Ташкент: ТУИТ, 2003. — 102 с. В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине "Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении курса....
М.: МИЭТ, 1981. — 89 с.
В учебном пособии рассматриваются в обобщенном виде результаты развития нового направления техники СВЧ – микроэлектроники СВЧ, обеспечивающие микроминиатюризацию современных радиотехнических систем различного назначения. В пособии излагаются технико-экономические характеристики, схемотехнические и технологические основы СВЧ микроэлектроники, обще вопросы...
М.: Советское радио, 1965. — 191 с.
Книга посвящена анализу связи радиотехнических параметров диодов СВЧ диапазона с электрофизическими свойствами полупроводника и геометрическими размерами p-n перехода. Рассмотрению разных типов диодов (видеодетекторов, переключательных, параметрических и туннельных) предшествует подробное изложение теории p-n перехода и экспериментальных...
Springer, 2021. — XVI, 363 p. — ISBN: 978-3-030-51842-4. This book provides a practical guide to terahertz electronics, especially for readers with an electronics background. The author guides readers through the all the key concepts of terahertz electronics, including terahertz sources, detectors, and waveguides, together with reviews on key terahertz applications on...
Учебно-методическое пособие. — Минск: БГУИР, 2008. — 151 с. В пособии рассмотрены физика работы и конструкция мощных биполярных и полевых транзисторов, СВЧ полупроводниковых диодов и тиристоров. Полевые транзисторы. Мощные биполярные транзисторы. СВЧ-диоды. Тиристоры.
Artech House, 2022. — 373 p. — ISBN 13 978-1-63081-868-5. Despite its continuing popularity, the so-called standard circuit model of compound semiconductor field-effect transistors (FETs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is shown to have a limitation for nonlinear analysis and design: it is valid only in the static limit. When the voltages and currents are...
Artech House, 2022. — 339 p. — ISBN-13: 978-1-63081-944-6. This book gives you – in one comprehensive and practical resource -- everything you need to successfully design modern and sophisticated power amplifiers at mmWave frequencies. The book provides an in-depth treatment of the design methodology for MMIC power amplifiers, then brings you step by step through the various...
Jenny Stanford Publishing, 2024. — 773 p. During the past several decades, tremendous progress has been made in terahertz (THz) science and technology. There is a continuing need to have terahertz waves ready for practical applications. Terahertz photonic and electronic devices are being readied to be employed in application systems such as communication links, satellite...
Комментарии