Полупроводниковые приборы

Ульяновск: УГТУ, 2009. – 38 стр. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Специальность: 05.13.18 Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ. (На правах рукописи). Аннотация. Объектом исследования диссертационной работы является физический процесс воздействия лазерного излучения на пленочные РЭ, применяемого для...

83 с. Специальность: Электроника и микроэлектроника Фотоэлектрические преобразователи; Диоды; Солнечные элементы; Нитевидные нанокристаллы; Сложные полупроводниковые структуры; Излучающие устройства

Лекционные слайды по темам. Биполярные транзисторы схема замешения. виды диодов. Включение p-n-перехода в обратном. Влияние температуры на вах контакт металл. Вольт-амперная характеристика. Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ). Динистор. Инерционные свойства транзисторов шум вах при т. Емкости p-n-перехода. МЕП транзисторы ячейка памяти. Модели полевого...

М.: Энергоатомиздат, 1991. — 200 c. Приведены конструкции, параметры и характеристики полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов. А также практические схемы устройств с применением единичных, цифровых, буквенно-цифровых и матричных индикаторов. Описаны принципы и методы создания многорежимных пультов управления и конструктивно-функциональных модулей. Даны рекомендации по...

Предмет-Материалы электронной техники. 15 стр. КПУ(Запорожье)

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная...

Санкт-Петербург: ЛЭТИ СПб, 2015. - 54 с. Высоковольтные GaAs-AlGaAs pin диодные структуры, полученные методом жидкофазной эпитаксии. Темой работы является освоение метода получения высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии. Цель данной работы – получение высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии в...

Новосибирск : СибГУТИ, 2011. — 213 с. Развитие науки и техники базируется на достижениях электроники. Рассматривая историю развития электроники можно выделить несколько этапов: - этап вакуумной электроники; - этап твердотельной электроники; - этап микро и оптоэлектроники; - этап наноэлектроники. На каждом этапе разрабатывались технологические процессы, использующие свойства...

Изучение влияния температуры на основные параметры и характеристики полупроводниковых диодов и транзисторов.

Минск 2013 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования: «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники». Кафедра «Программное обеспечение информационных технологий». Отчет по лабораторной работе № 1 по курсу «Электронные приборы» на тему «Исследование полупроводниковых диодов». Снятие и анализ вольтамперных...

Введение. Логический элемент И.. Логический элемент ИЛИ. Логический элемент НЕ. Логический элемент И-НЕ. Логический элемент ИЛИ-НЕ. Литература.

М.: Журнал “Радио”, 2005. — 208 с.: ил. Справочник по диодам, стабилитронам, светодиодам, оптронам, варикапам, тиристорам, транзисторам и интегральным микросхемам. Справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен...

ЧГУ им. Петра Могилы. г. Николаев. Преподаватель: Прыщепов О.Ф. 2011 г. 37 с. Особливості напівпровідникових матеріалів Власна електропровідність напівпровідників Домішкова електропровідність Дрейфовий та дифузійний струми Фотопровідність напівпровідників Формування контакту напівпровідник- напівпровідник Енергетична діаграма р-n переходу Фотоефект в р-n переході

Електрони в атомі. Електропровідність. Електронно-дірковий перехід. Напівпровідникові прилади та їх стисла характеристика. Напівпровідникові терморезистори. Напівпровідникові діоди. Біполярні транзистори. Польові транзистори. Тиристори. Система позначень напівпровідникових прилад.

Определение полупроводниковых приборов и принцип действия (типы проводимостей). Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод, принцип действия. Транзистор, принцип действия, схемы включения транзисторов.

Основы теории p-n Перехода: Учебное пособие / В. И. Елфимов, Н. С. Устыленко. Екатеринбург: Ооо изд-во Умц упи, 2000, 55 с.

Отчет о практике: задание на практику,реферат,содержание,список литературы. Отчет Содержит информацию о предприятии,о технологических процессах создания полупроводниковых приборов и модулей,о процессах фотолитографии,диффузии,фаски.

Одна шпаргалка по - Полупроводниковые приборы Технический Университет Молдовы (UTM) Специальность - Промышленная Электроэнергетика (EI) Шпаргалка по предмету "Промышленная Электроника" Выставил Стратулат Владимир Владимирович - студент группы EI-0.72 (заочное отделение)

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов:...

СибГИУ, Преподаватель Миллер Ю. М. , 2005 г. 30 стр. Разработка принципиальной схемы. Расчет параметров и выбор схем. Расчёт энергетических показателей установки в диапазоне номинального режима. Расчёт характеристик установки.

КПУ(Запорожье), 4 курс, 7стр. ,

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Вінниця: ВНТУ, 2008. — 43 с. Керівник курсової роботи к.т.н.,ст.в. Лазарєв О.О. Мета роботи: Виконання технічного огляду сучасних електронних компонентів та розрахунок параметрів і конструкції електронного компоненту у відповідності до завдання. У теоретичній частині зробити технічний огляд електронного компоненту у відповідності до завдання. Висвітлити докладно такі питання:...

Автор не известен. — Методическое указание. — Улан-Удэ: ВСГУТУ, 2000. — 8 с. Цель работы: Снять входные характеристики триода; Снять выходные характеристики триода. Содержание: Устройство и принцип действия полупроводникового триода транзистора. Основные схемы включения транзистора. Снятие выходных характеристик. Контрольные вопросы.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Усилитель мощности класса А. Курсовая работа. НТУ Украины КПИ, Кафедра физической и медицинской электроники Курсовая работа по курсу: Проектирование биомедицинской аппаратуры Киев 2006 р.24 с.

Усилитель мощности класса Б. Курсовая работа. НТУ Украины КПИ, Кафедра физической и медицинской электроники. Курсовая работа по курсу: Проектирование биомедицинской аппаратуры. Киев 2006 р.11 с. язык - украинский.

Лектор Колосницын Б.С. — Мн.: БГУИР, 2012. — 165с. В 2006 году в электронную библиотеку университета автором был сдан электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов ч. I», который анализирует физику работы активных элементов интегральных схем. Предлагаемый вашему вниманию учебно-методический комплекс посвящен физике работы мощных и СВЧ...

Основные понятия. Основные параметры резисторов. Система обозначений резисторов. Маркировка резисторов. Непроволочные постоянные резисторы. Непроволочные переменные резисторы. Проволочные постоянные и переменные резисторы. Полупроводниковые резисторы. Проверка, ремонт и взаимозаменяемость резисторов.

Шпаргалка составленная по дисциплине "Электронные сверхвысокочастотные и квантовые приборы". Содержит теорию полупроводников и краткие сведения по полупроводниковым приборам. Содержание Электроника. Электронные приборы. Физические явления в электронных приборах. Классификация электронных приборов. Электропроводность твердых тел. Классификация твердых тел по проводимости....

Вашему вниманию предоставляется справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам, оптоэлектронным приборам. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики полупроводниковых приборов. Одним из главных достоинств справочника является наличие...

Электронный справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам, оптоэлектронным приборам (Часть 1). В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики полупроводниковых приборов. Одним из главных достоинств справочника является наличие информации о...

Содержание. Электрический взрыв проводников. Моделирование ЭВП. Процессы протекающие при ЭВП. Основные направления работ по ЭВП. Применение ЭВП. Заключение. Список использованной литературы. Нет про получение наночастиц методом электрического взрыва проводников