Монография. — Москва: Атомиздат, 1969. — 312 с. В монографии обобщены и изложены на уровне последних достижений результаты исследований природы эффектов, возникающих в полупроводниках и полупроводниковых приборах под действием ионизирующего излучения. Книга представляет большой научный интерес, так как одной из актуальных проблем новой техники является создание полупроводниковых...
Учебное пособие. — Москва: МГИЭМ, 2002. — 46 с. Учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость изделий электронной техники». Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов влияния радиации на интегральные микросхемы; рассмотрение вопросов воздействия импульсного рентгеновского излучения; рассмотрение методов испытаний изделий электронной техники на...
Монография. — Минск: Наука и техника, 1978. — 232 с. В книге на уровне последних достижений советских и зарубежных ученых обобщены результаты изучения радиационных эффектов, возникающих в полупроводниковых приборах различных классов при воздействии на них проникающих излучений. Деградация параметров полупроводниковых приборов при облучении рассматривается с единой точки зрения,...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1987. — 116 с. Приведено описание семи лабораторных работ по спецкурсу "Основы радиационной технологии микроэлектроники" для студентов специальности 0629. В работах изучаются физические основы новых процессов радиационной технологии, позволяющие эффективно управлять статическими и динамическими параметрами биполярных диодных и транзисторных...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 1994. — 101 с. Рассмотрены механизмы взаимодействия различных видов проникающего излучения (высокоэнергетичные нейтроны, электроны, протоны и гамма-кванты) с полупроводниковыми материалами, и процессы образования в кристаллической решетке полупроводника стабильных радиационных центров. Проанализированы свойства остальных радиационных центров в кремнии...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2003. — 111 с. В учебном пособии изложены основы современных методов обеспечения надежности электронных компонентов космических аппаратов (КА), работающих в специфических условиях длительного воздействия космической радиации. Для основного класса электронных компонентов, широко применяемых в аппаратуре КА — полупроводниковых приборов и микросхем,...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1996. — 96 с. Рассмотрены основные закономерности и специфика изменения электрических параметров интегральных микросхем классов ТТЛ, ТТЛШ, КМОП, аналоговых ИС при проведении радиационной и термической обработок. Указаны области практического использования радиационных технологических процессов при изготовлении ИС для управления комплексом их...
Учебно-методическое пособие для курсового и дипломного проектирования. — М.: МИСиС, 2001. — 47 с. Кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1994. — 117 с. Посвящено анализу воздействия радиационного облучения и последующей термической обработки на различные типы диодов и биполярных транзисторов: физическая природа и термостабильность возникающих радиационных центров, изменение основных электрических параметров приборных структур, этапы проведения радиационно-термической обработки и...
Учебное пособие. — Екатеринбург: Издательство Уральского университета, 2019. — 320. — ISBN: 978-5-7996-2601-3. Основано на лекционном курсе «Радиационные воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты, приборы и комплексы электронной техники», читаемом авторами для студентов физико-технологического института, обучающихся по направлениям «Ядерные физика и...
Лабораторный практикум. — М.: МИСиС, 1988. — 30 с. Предназначено для студентов специальности "Физика и технологии материалов и компонентов электронной техники" специализации "Физическое материаловедение микроэлектроники". Целью практикума является закрепление основных положений спецкурса "Радиационные воздействия на полупроводники", умение использовать вычислительную технику...
Курс лекций. — М.: МИСиС, 2011. — 252 с. — ISBN 978-5-87623-415-5. В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2013. — 349 с. — ISBN 978-5-87623-661-6. Учебное пособие посвящено вопросам деградации полупроводниковых приборов и интегральных схем вследствие дефектов, образующихся при воздействии космической радиации. Рассмотрены следующие вопросы: радиационные условия в космосе; влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на свойства...
М.: Радио и связь, 1989. — 144 с. –- ISBN: 5-256-00254-6. Рассматриваются радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах, возможные нарушения работоспособности, виды и механизмы отказов. Анализируются схемотехнические и конструктивно-технологические аспекты повышения радиационной стойкости цифровых микросхем и радиоэлектронной аппаратуры. Обобщаются результаты...
Комментарии