Интегральные микросхемы (ИМС)

НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2014 г, 41 стр Микроэлектроника шагнула в своем развитии далеко вперед, однако предел еще далеко. Совершенствуя новые технологии, появляются возможности создания новых интегральных микросхем с новыми, расширенными свойствами и границами использования. История микросхем начинает свой отсчет с середины XX века, и с того момента их функциональность...

ВИС ЮРГУЭС, 23 стр. , 2010 г. Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. Полупроводниковые конденсаторы. Полупроводники – это новые материалы, с помощью которых на протяжении последних десятилетий удаётся разрешать ряд чрезвычайно важных...

Обзорный реферат. Рассматриваются некоторые особенности технологии изготовления резисторов (диффузионные резисторы, пинч-резисторы, эпитаксиальные резисторы, эпитаксиальные пинч-резисторы, ионно-легированные резисторы, пленочные резисторы) и конденсаторов (МДП – конденсаторы и диффузионные конденсаторы)

Технологии сверхбольших ИМС

Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции...