Slides for course ECE1768 – Reliability of Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Toronto, Canada. — 60 p. Motivation. Background. Root Causes for Gate Oxide Breakdown. Symptoms of Gate Oxide Breakdown. Failure Models. Prediction of Gate Oxide Breakdown. Protection Against Gate Oxide Breakdown.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Ассистент Кожемяк О.А. Презентация к лекции по учебной дисциплине «Электроника». –42с. 2016г. Основные характеристики и параметры
Комментарии