Наноэлектроника

Phys. Status Solidi C 12, No. 1–2, 202–205 (2015) / DOI 10.1002/pssc.201400109 The effect of contact material on cyclic degradation stability of titanium oxide based memristor has been investigated. The memristors were made by pulsed laser deposition which has several advantages in comparison with other methods of memristor fabrication. The use of gold instead of platinum as a...

ISSN: 1063-7850, Technical Physics Letters, 2014, Vol. 40, No. 4, pp. 317–319. Pleiades Publishing, Ltd., 2014. The stability of titanium oxide memristors with gold and platinum electrodes with respect to switching-induced degradation has been studied. It is established that the use of gold instead of platinum as the electrode material significantly increases the resistance of...

Springer, 2022. — xvi, 511 p. — (Lecture Notes in Electrical Engineering, 781).— ISBN 978-981-16-3766-7, 978-981-16-3767-4. The book presents select proceedings of the International Conference on Micro and Nanoelectronics Devices, Circuits and Systems (MNDCS-2021). The volume includes cutting-edge research papers in the emerging fields of micro and nanoelectronics devices,...

Springer, 2023. — xvi, 528 p. — (Lecture Notes in Electrical Engineering, 904). — ISBN 978-981-19-2307-4, 978-981-19-2308-1. The book presents state-of-the-art research and developments in micro- and nano-electronics devices, circuits and systems through select papers of 2nd Springer International Conference on Micro/Nanoelectronics Devices, Circuits and Systems (MNDCS-2022)...

Springer, 2024. — xiv, 532 p. — (Lecture Notes in Electrical Engineering, 1067). — ISBN 978-981-99-4494-1, 978-981-99-4495-8. This book presents select proceedings of the International Conference on Micro and Nanoelectronics Devices, Circuits and Systems (MNDCS-2023). The book includes cutting-edge research papers in the emerging fields of micro and nanoelectronics devices,...

Phys. Status Solidi C 12, No. 1–2, 242–245 (2015) / DOI 10.1002/pssc.201400110 The structural and electrophysical properties of titanium oxide based memristor obtained by pulsed laser deposition were analysed. The experimental results found the possibility of fine tuning of memristor active layers stoichiometry during deposition. In addition, the atomic force microscopy analysis...

Springer, 2019. - 611 p. This book features selected papers presented at Third International Conference on Nanoelectronics, Circuits and Communication Systems (NCCS 2017). Covering topics such as MEMS and nanoelectronics, wireless communications, optical communication, instrumentation, signal processing, Internet of Things, image processing, bioengineering, green energy, hybrid...

Статья. Опубликована в журнале Физика и техника полупроводников. — 2009. — том 43, вып. 1. — С. 85-94. Авторский коллектив: Н.Т. Баграев, О.Н. Гимбицкая, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых, А.И. Рыскин, А.С. Щеулин. Планарные сэндвич-структуры CdB x F 2−x −p-CdF 2 −CdB x F 2−x на поверхности кристалла n -CdF 2 исследуются с целью регистрации эффекта спинового транзистора...

Письма в ЖТФ, 2014, том 40, вып. 7, с. 87-94 Исследована устойчивость мемристора на основе оксида титана с контактами из золота и платины к деградации. Показано, что использование золота вместо платины в качестве контакта существенно увеличивает его устойчивость к деградации при многократной перезаписи значений сопротивления. Впервые в России получен мемристор на основе оксида...

Электронный научно-технический журнал "Наука и образование". №12, декабрь 2013. с. 329-366. В настоящее время многие научные коллективы в области микроэлектроники ведут разработки технологии создания мемристора, а также возможности его интеграции в существующую КМОП-технологию. В результате исследований были установлены основные классы материалов с эффектом памяти такие как:...

Научное издание МГТУ им. Н.Э.Баумана "Наука и образование". № 5, май 2012. с. 290-305. В работе было выполнено численное моделирование рабочей частоты и потребляемой мощности мемристоров, изготовленных на основе оксида титана. Для исследования использовалась модель мемристора в виде двух последовательных резисторов, сопротивление которых зависит от положения границы раздела между...